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共 53 篇文章
sic 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 53 篇文章，持续更新中。
SiC8051F_uVision3
基于JTAG接口的C8051F340芯片驱动程序，采用高效稳定的数据传输协议，支持实时调试与烧录功能，适用于嵌入式开发环境。
EPSON S1C33 32位单片机在嵌入式系
嵌入式系统迫切需求高性能、高集成度的单片机及相应的解决方案.本文介绍EPSON公司推出的SIC33 32位单片机的特点,软件平台及使用C33 STAR开发板和GPS/GSM扩展功能板进行GPS定位系统的开发.
CREE晶片常见问题及解答
Q：Cree 公司生产红光LED 芯片吗？
A ：Cree 公司一直以来都没有生产红光LED 芯片，只有蓝光、绿光和紫外光LED 芯片。
Q：Cree 的芯片都是碳化硅（SiC）材料为衬底的吗？
A：目前Cree 公司的小功率LED 芯片都是采用碳化硅（SiC）材料为衬底的，而EZBright 系列LED 芯片
则采用Si 衬底结构。Cree 公司是世界上少有采用碳化硅（SiC）材料为衬底
SiC气体传感器
SiC 肖特基二极管气体传感器可以广泛应用于检测气体排放物和气体泄露。通过采用PdCr 合金,可以提高Pd/ SiC 气体传感器的灵敏度。同时,在Pd 层和SiC 之间引入SnO2 作为界面层也是提高
基于MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器模拟
<P>提出了SiC-SBD 气体传感器器件分析模型，利用当前流行的MATLAB 强大的计算编程功能，模拟了SiC-SBD<BR>气体传感器的电流-电压特性，结果与实验数据吻合很好，较好地解释了Pd-S
MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析
<P>分析了金属2绝缘体2SiC (MISiC) 结构肖特基二极管(SBD) 气体传感器敏感机理,通过将热电子发射理论与隧道理论结合,建立了器件物理模型. 模拟结果表明,响应特性与金属电极类型、绝缘层
数控系统软件芯片的研制和开发.pdf
数控技术无疑是现代先进制造技术中最重要的技术基础，从某种意义上说，数控技术的水平已成为衡量一个国家制造业水平的重要标志之一。出于技术垄断及独占市场等原因，各个厂家生产的数控系统在体系结构上大多是封闭的，不能进行高可＊性的软件扩展。近年来，国内外众多的数控软件开发者都在重复研究、开发相同或相似的数控系统，反复设计若干基本模块，造成了人力、物力和财力的巨大浪费，而且由于缺乏统一的标准，不同的数控软件开
宽禁带器件将有广阔的应用前景
以SIC为代表的宽禁带电力电子器件未来若干年将有重大突破，也必将会有广阔的应用前途。
基于ARM的32位MCU提供SoC设计参考
<P>系统级芯片(s0c)技术可以看作是专用集成电路 SIc)的一种新的设计模式，较<BR>之ASlC，其设计周期短，能为设计人员消除设计特殊应用时遇到的障碍。SoC的性能<BR>接近于成熟的ASIC
FOC-MUSIC与MUSIC算法的稳健性对比分析
<p>1引言</p><p>在阵列信号处理中，基于特征分解的高分辨阵列处理技术，因其高分辨性能和相对较低的计算量而受到极高的重视。在波达方向估计问题中最典型的是以MUSIC方法为代表的特征结构法。这些估计的高性能是在阵列信号满足模型假设的理想条件下得到的。但实际中阵元特性不可能精确得到，因而与理想模型有偏差。而这些很小的偏差可能会使这类方法的估计性能急剧下降。近几年来，高分辨技术对模型扰动的灵敏性分
SiC8051F_uv3(KEILUV3驱动程序)
SiC8051F_uv3(KEILUV3驱动程序)
2.5kWPFC评估板
对英飞凌的解决方案——2.5kW PFC 评估板深度解析说明。这个评估板包含以 4 针形式封装的一个 CCM-PFC 控制器、MOSFET 驱动器，碳化硅 (SiC) 二极管和功率 MOSFET，改善了效率和信号质量，实现精密评估。
SiC二极管在电源中的应用
英飞凌SiC肖特基二极——适合各种供电条件的解决方案，英飞凌利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料，能制造出接近理想功能特性的升压二极管，并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性均能减少PFC应用中的功率损耗。
碳化硅电力电子器件的发展现状分析
SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管（SBD）和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。
MACOM 高功率GaN产品组合
GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说，这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此，目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因限制了GaN技术产品的普及。第一就是成本，与传统LDMOS相比GaN的成本较高;目前可用的商用GaN主要还是基于较高成本的SiC基板。第二个原因就是供应链的可靠
使用Si828x驱动MOSFET和IGBT开关
Si828x产品将隔离、栅极驱动器、故障检测保护和操作指示器集成到一个封装中，以驱动IGBT和MOSFET以及其他门控电源开关器件。大多数Si828x产品（Si8286除外）都有三个独立的输出引脚，提供独立的上升和下降时间设置和低阻抗钳位，以抑制米勒电压尖峰。本应用笔记提供了选择驱动程序运行所需的外部组件的指导。虽然本应用笔记讨论了驱动IGBT和MOSFET的主题，但用户可以使用相同的概念来驱动其
SiC功率半导体在电力设备上的应用
<p>SiC功率半导体在电力设备上的应用，很不错的技术资料</p>
LLC谐振拓扑原理 Full Bridge LLC ZVS SiC Converter
<p>Full Bridge LLC ZVS SiC Converter；</p><p>详细介绍 LLC谐振拓扑原理；</p><p>使用 SIC MOSFET 作为功率元器件进行主电路设计。 </p>
SiC MOSFET LLC谐振变换器移相控制特性分析，浙江大学硕士学位论文
<p>SiC+MOSFET+LLC谐振变换器移相控制特性分析.</p><p>本文介绍了LLC谐振变换器的设计过程，设计了15kW两路交错并联LLC<br/>谐振变换器。介绍了交错并联LLC谐振变换器的移相均流控制原理，通过实验<br/>分析了参数误差对交错并联LLC谐振变换器的影响。<br style="font-variant-numeric: normal; font-variant-east
20kW全桥谐振LLC转换器
<p>此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFE