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共 16 篇文章
mur 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 16 篇文章，持续更新中。
MUR3060PT芯片手册
MUR3060是一种超快速对管二极管，导通电流可达30A,封装形式为TO-218形式
MUR3060资料
主要讲述了MUR3060的内部结构，引脚功能，及工作原理等
几种常用的防反接保护电路
<p>1，通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示：这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样效率低，发热量大，要加散热器。</p><p>2,另外还可以用二极管桥对输入做整
三维FDTD,matlal编程,mur边界条件,平面波光源
三维FDTD,matlal编程,mur边界条件,平面波光源
极为实用的TM波一阶Mur吸收边界条件编程
极为实用的TM波一阶Mur吸收边界条件编程
fortran程序计算光子晶体
fortran程序计算光子晶体，3D FDTD with 1st Mur boundary conditions
matlab编写的关于fdtd编程的步骤和具体方法
matlab编写的关于fdtd编程的步骤和具体方法，适合初学者，且直接是三维结构，用mur吸收边界条件
利用均等分割的FDTD解析程序,三维二阶Mur边界条件
利用均等分割的FDTD解析程序,三维二阶Mur边界条件，fortran程序！
一个参照葛德彪书编写的3D FDTD源文件
一个参照葛德彪书编写的3D FDTD源文件，用matlab语言编写，非常详细的注释，很易看懂,2mur bianjie
二维TE波的FDTD的实现
二维TE波的FDTD的实现，采用MUR吸收边界条件。
FDTD近场分析
FDTD近场分析，通过建模可分析任意二维目标，用Mur吸收条件
二维FDTD程序
二维FDTD程序，采用PML边界s 用pml和mur分别计算j=1处的Hz(i,1).计算空间扩大到400*400，不加边界，运行相同的时间步
周立功的读卡器mur-100所有程序和代码
周立功的读卡器mur-100所有程序和代码
fortran 编写的三维fdtd计算程序
fortran 编写的三维fdtd计算程序，用于计算散射场，2阶Mur边界
二维fdtd
二维fdtd，mur吸收边界，方柱的散射
MUR-100卡片读写器使用指南
MUR-100卡片读写器是广州致远电子自主开发的支持IS014443-4协议的新型卡片读写器，与动态库搭配可以完成多NXP新推出的Mifare PLUS 卡片的读写操作。