mos
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mos 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 447 篇文章，持续更新中。
DK112 12V1.5A开关电源控制芯片方案
DK112 12V1.5A开关电源控制芯片方案BOM，DK112芯片是专用小功率开关电源控制芯片，广泛用于电源适配器、LED电源、电磁炉、空调、DVD等小家电产品。采用双芯片设计，高压开关管采用双极型晶体管设计，以降低产品成本；控制电路采用大规模MOS数字电路设计,并采用E极驱动方式驱动双极型晶体芯片,以提高高压开关管的安全耐压值。内建自供电电路，不需要外部给芯片提供电源，有效的降低外部元件的数量
高性能模拟电路和电流模技术
本书分10章讲述了电子电路基础中高性能模拟电路和电流模技术，内容包括集成电路元器件基础，模拟集成基本单元电路基础，放大电路频率特性，集成运算放大器，放大电路反馈原理与稳定性基础，MOS模拟集成电路基础，集成运放的高性能组合放大应用技术，模拟集成乘法器及其应用，应用电流模技术的部分模拟电路，稳定电源及其高精度和高效率技术等。
P沟道MOS型号大全
出自转载资料,此资料不错的.与大家分享.希望能有用.谢谢!
AN_SY7215 大电流同步升压芯片
代理原装SY7215同步整流升压芯片，芯片内置15A电流mos管输入电压3-16V 采用同步整流模式 外围元件少 效率高达95% 芯片温度低 应用于 移动电源 大功率电子烟 医疗设备 手持设备 等众多领域
高速mos管驱动电路设计
高速MOS管驱动电路设计，不同类型的驱动电路以及改进设计
QFN3*3-8封装尺寸图（MOS管）
MOS管常用封装信息QFN3*3-8PIN
模拟集成电路的分析与设计
本书为教育部高教司推荐国外优秀信息科学与技术系列教学用书之一。本书英文版第1版出版到现在已经有23年，期间模拟集成电路领域已经发展并成熟起来。本书第4版的翻译版,编写着重使教师更容易地讲解单纯的CMOS电路、单纯的双极电路、CMOS和双极结合在一起的电路，使学习者能更好地掌握两种电路的相似和不同处，在设计中使用更合适的电路。本书介绍模拟集成电路的分析与设计,全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念，
CMOS模拟集成电路设计
本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从cmos技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对cmos模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了分层设计的方法。全书共分十章，主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识，cmos技术，器件模型，以及主要模拟电路的原理和设计，包括cmos基本单元电路（mos开关、mos二极管、有源电阻，电流漏、电流源、电流镜、带隙基准源、基准电
LP3783中文规格书原理图资料
LP3783是一款恒压恒流内置MOS管PSR芯片。分为LP3783A 5V2.1A/LP3783B 5V2.4A适用于充电器LED电源等产品。
DK124 12V2A离线式开关电源芯片方案
DK124 12V2A离线式开关电源芯片方案，DK124 是一款离线式开关电源芯片，最大输出功率达到 24W。不同于 PWM 控制器和外部分立功率 MOS 组合的解决方案，DK124内部集成了 PWM 控制器、700V 功率管和初级峰值电流检测电路，并采用了可以省略辅助供电绕组的专利自供电技术，因此极大地简化了外围应用电路，减少了原件数量，电路尺寸和重量，特别适用于成本敏感的反激式开关电源。
MOS管驱动芯片NTC3301
MOS管驱动芯片NTC3301，电子烟，锅炉等
TI TL494 制作MOS D类功放
用 TI TL494 集成控制芯片制作的MOS D类功放电路，含有原理图及PCB图
MOS管电路工作原理精讲
MOS管电路工作原理精讲，很不错的资料，欢迎大家学习下载。
G题--低频功率放大器
设计并制作一个低频功率放大器，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。
DK112 5V2A小功率开关电源芯片方案
DK112 5V2A小功率开关电源芯片方案，DK112芯片是专用小功率开关电源控制芯片，广泛用于电源适配器、LED电源、电磁炉、空调、DVD等小家电产品。采用双芯片设计，高压开关管采用双极型晶体管设计，以降低产品成本；控制电路采用大规模MOS数字电路设计,并采用E极驱动方式驱动双极型晶体芯片,以提高高压开关管的安全耐压值。
MOS场效应管
电子专业单片机相关知识学习教材资料——MOS场效应管
DK124 12V1.5A充电器电源管理芯片方案
DK124 12V1.5A充电器电源管理芯片方案，DK124 是一款离线式开关电源芯片，最大输出功率达到 24W。不同于 PWM 控制器和外部分立功率 MOS 组合的解决方案，DK124内部集成了 PWM 控制器、700V 功率管和初级峰值电流检测电路，并采用了可以省略辅助供电绕组的专利自供电技术，因此极大地简化了外围应用电路，减少了原件数量，电路尺寸和重量，特别适用于成本敏感的反激式开关电源。
FD6288
无刷电机 mos驱动IC，一款集成三个独立半桥栅极驱动集成电流芯片，专门为高压高速驱动MOSFET和IGBT设计。
MOS管被静电击穿的原因分析
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
AOS 无人机应用MOS
AOS半导体在无人机中电调产品的推荐低内阻MOSFET。能做到大功率，低发热，小体积。