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i-v 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 19 篇文章,持续更新中。

模拟CMOSIC学习总结

1、CS单管放大电路 共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大,即获得较高的电压增益。在直流分析时,根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点,而根据MOSFET的I-V特性曲线可知,MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围,主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围,小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH,最大值约为VDD,假设其在饱和区可以完全表现线性特性,并且实

基于DSP与dsPIC的数字式太阳能电池阵列模拟器研究.rar

在当今石化能源日益减少,生态环境遭受破坏的情况下,太阳能等可再生能源的探求与利用已成为热门话题。光伏系统以其良好的环境效应被越来越广泛的应用,但在光伏系统的研发过程中,作为能量转换的太阳能电池阵列的外部特性受到日照强度、环境温度的影响,导致实验成本过高、研发周期变长。太阳能电池阵列模拟器可以大大缩短光伏系统的研究周期,提高研究效率及研究结果的可信性。 本文研究了硅太阳能电池的数学物理模型,选择了适

光伏并网发电系统及其控制策略的研究.rar

随着能源的紧张和环境污染日益严重,开发和利用太阳能已受到越来越多的重视。通过光伏并网发电系统将太阳能转换为电能,并将电能输送到电网上,是太阳能利用的主要形式。 本文对光伏并网发电系统的控制策略进行了深入的研究。首先,分析了太阳能电池发电的基本原理,得出了太阳能电池的等效模型,通过分析太阳能电池的I-V特性,可以看出太阳能电池是一非线性电源,而且输出电能受环境温度和光照强度的影响,为了使太阳能电池能

电子元器件抗ESD技术讲义.rar

电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源

LED主要参数与特性

LED主要参数与特性 LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性:I-V特性、C-V特性和光学特性:光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详细介绍。

I-V、V-I转换电路设计报告

本设计主要采用了OP07运算放大器,利用运放的知识,设计了V-I,I-V转换电路,本文对电路的分析,元器件的选择以及电路参数的计算都做了详细的介绍。电路基本达到了所要设计的指标。

由运放组成的V-I、I-V转换电路

由运放组成的V-I、I-V转换电路,其中包括 0-5V/0-10mA的V/I变换电路,0-10V/0-10mA的V/I变换电路,1-5V/4-20mA的V/I变换电路,0-10mA/0-5V的I/V变换电路, 由运放组成的0-10mA/0-5V的I/V变换电路,4-20mA/0-5V的I/V变换电路。

本科毕业设计论文:基于simulink的带有MPPT功的光伏电池的仿真

<p>基于simulink的带有MPPT功的光伏电池的仿真</p><p>摘要</p><p style="text-indent:32px;line-height:27px">如今,在全球经济与科技高速发展的背景下,能源消耗自然成为不可忽略的问题。在传统化石燃料,如煤、石油、天然气等面临枯竭之时,新能源的开发与利用成为当今的热点。在众多新能源中,光能由其高效、可持续以及无污染等特点进入了人们的视野。

MOS器件物理基础讲解课件

<p>该文档为MOS器件物理基础讲解文档,</p><p>基本概念&nbsp;™</p><p>简化模型-开关&nbsp;™</p><p>结构&nbsp;™</p><p>符号 ‰I</p><p>/V特性&nbsp;</p><p>™阈值电压&nbsp;</p><p>™I-V关系式&nbsp;</p><p>™跨导&nbsp;‰</p><p>二级效应&nbsp;™</p><p>体效应、沟道长度调制效应、亚

常用的V-I、I-V转换电路

<p>文章介绍了一些常见的基于运放的V-I/I-V转换电路,这些电路可以为工程师研究VI转换提供一些方法和思路。有一定的实用价值。</p><p><br/></p>

本程序基于约瑟夫森结的RSJ模型

本程序基于约瑟夫森结的RSJ模型,对无微波辐照和微波辐照下约瑟夫森结的特性进行了数值计算求解,其中有微波辐照的RSJ模型求解采用了四阶龙格库塔方程函数,两种情况都给出了I-V特性曲线图(程序包中也附带),展现了量子化电压台阶。

摘要:本文基于Matlab对约瑟夫森结(Josephson Junction)RCSJ模型的交直流I-V特性及非线性混沌现象进行数值模拟。通过计算机数值模拟得到该模型的非线性微分方程数值解

摘要:本文基于Matlab对约瑟夫森结(Josephson Junction)RCSJ模型的交直流I-V特性及非线性混沌现象进行数值模拟。通过计算机数值模拟得到该模型的非线性微分方程数值解,研究了RCSJ模型中各参量对约瑟夫森结的影响,进而简要分析其I-V特性和非线性混沌现象的产生机理,绘制出约瑟夫森结的交直流I-V特性曲线、非线性微分方程的相图及因其高度非线性而引起的通过倍周期分岔和阵发性原理进

基于Matlab对约瑟夫森结(Josephson Junction)RCSJ模型的交直流I-V特性及非线性混沌现象进行数值模拟。通过计算机数值模拟得到该模型的非线性微分方程数值解

基于Matlab对约瑟夫森结(Josephson Junction)RCSJ模型的交直流I-V特性及非线性混沌现象进行数值模拟。通过计算机数值模拟得到该模型的非线性微分方程数值解,研究了RCSJ模型中各参量对约瑟夫森结的影响,进而简要分析其I-V特性和非线性混沌现象的产生机理,绘制出约瑟夫森结的交直流I-V特性曲线、非线性微分方程的相图及因其高度非线性而引起的通过倍周期分岔和阵发性原理进入混沌状态

N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

<span id="LbZY">&nbsp;N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降。<b

用12位阻抗转换器实现高精度阻抗测量

<div> AD5933/AD5934的电流-电压(I-V)放大级还可能轻微增加信号链的不准确性。I-V转换级易受放大器的偏置电流、失调电压和CMRR影响。通过选择适当的外部分立放大器来执行I-V转换,用户可挑选一个具有低偏置电流和失调电压规格、出色CMRR的放大器,提高I-V转换的精度。该内部放大器随后可配置成一个简单的反相增益级。<br /> <img alt="" src="http:/

光伏并网发电系统及其控制策略的研究.rar

随着能源的紧张和环境污染日益严重,开发和利用太阳能已受到越来越多的重视。通过光伏并网发电系统将太阳能转换为电能,并将电能输送到电网上,是太阳能利用的主要形式。 本文对光伏并网发电系统的控制策略进行了深入的研究。首先,分析了太阳能电池发电的基本原理,得出了太阳能电池的等效模型,通过分析太阳能电池的I-V特性,可以看出太阳能电池是一非线性电源,而且输出电能受环境温度和光照强度的影响,为了使太阳能电池能

电子元器件抗ESD技术讲义.rar

电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源

LED主要参数与特性

LED主要参数与特性 LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性:I-V特性、C-V特性和光学特性:光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详细介绍。

针对应用的发光二极管(LED)I-V 特性测量

针对应用的发光二极管(LED)I-V 特性测量