gtr
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gtr 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 28 篇文章，持续更新中。
单片机控制准谐振纯正弦车载逆变电
随着逆变技术和各种功率器件的飞速发展，车载逆变电源的小型化、高效化已成为可能。本课题设计的逆变电源应用于汽车等移动交通工具，为其所携带的各种检测、通信仪器提供220V/50Hz的正弦电源。 本电源的设计方案，针对于同类用途电源在效率和波形质量方面的不足，致力于高效率、纯正弦波车载电源的研制。总体思路：将GTR工作点调整在放大区，以两路准谐振电压分别作为两个GTR的工作电压，实现纯正弦信号的放大，从
实用晶闸管电路大全(Scr,Mosfet,Gtr,Igbt_应用指南).pdf
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实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页-11.3M.pdf
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页-11.3M.pdf
实用晶闸管电路大全-SCR-MOS-GTR-IGBT应用-481页-11.3M.pdf
晶闸管-可控硅专辑-14册-131M 实用晶闸管电路大全-SCR-MOS-GTR-IGBT应用-481页-11.3M.pdf
GTR和IGBT吸收电路参数的选择
·GTR和IGBT吸收电路参数的选择
实用晶闸管电路大全(SCR,MOS,GTR,IGBT应用)
·实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 466页
实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页 11.3M.pdf
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超声波发生器的研究
<p>自从超声科技问世以来，其发展日新月异，应用日益广泛，已经取得了良好的社会效益和经济效益。但是作为一门综合性极强的交叉学科，超声学研究与应用均起步较晚，技术状况已远远不能满足我国经济事业多领域的需求，广阔的市场前景促使我们加大研究力度。</p><p>本文首先介绍了功率超声波技术的原理和发展趋势，然后详细分析了超声波设备的组成、关键技术以及设计难点，并采用三种不同的控制方案设计、制作了超声波发生
大功率IGBT驱动保护电路的研究与应用
<p>IGBT是MOSFET和GTR的复合器件，它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点，又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件，特别是在大功率的场合，已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上，针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用，选择了各自的IGBT模块。然后对IGBT的驱动电路进行了深入地研究，详细地说
IGBT在不间断电源(UPS)中的应用
<p>在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率品体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。</p><p>2.IG
IGBT驱动电路的设计.
<p>电力电子技术包括功率半导体器件与1C技术、功率变换技术及控制技术等几个方面，其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础，也是电力电子技术发展的“龙头"。从1958年美国通用电气（GE）公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代，这标志着电力电子技术的诞生。到了70年代，晶闸管开始形成由低压小电流到高
超声波发生器的研究
<p>自从超声科技问世以来，其发展日新月异，应用日益广泛，已经取得了良好的社会效益和经济效益。但是作为一门综合性极强的交叉学科，超声学研究与应用均起步较晚，技术状况已远远不能满足我国经济事业多领域的需求，广阔的市场前景促使我们加大研究力度。</p><p>本文首先介绍了功率超声波技术的原理和发展趋势，然后详细分析了超声波设备的组成、关键技术以及设计难点，并采用三种不同的控制方案设计、制作了超声波发生
士兰微8051内核mcu SC52F5716(32) 说明书.pdf
<p>中文手册，芯片包括SC52F5716. SC52F5732. SC52F5716LL1G. SC52F5732LL1G. SC52F5732NF1G. SC52F5716RE1G. SC52F571 6RE1GTR. SC52F5732RE1G. SC52F5732RE1GTR. SC52F5
基于H桥PWM控制的直流电机正反转调速驱动控制电路
<p>摘要：以N沟道増强型场效应管为核心，基于H桥PWM控制原理，设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路，满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。<br/>关键词：N沟道增强型场效应管；H桥；PWM控制；电荷泵；功率放大；直流电机1引言<br/>长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统
partan6 FPGA XC6SLX9-2FTG256C HY57V2562GTR 纽扣电池 TF
<p>spartan6 FPGA XC6SLX9-2FTG256C HY57V2562GTR 纽扣电池 TF卡ALTIUM AD集成库文件（原理图库+PCB库)。IntLib后缀文件，拆分后文件为PcbLib+SchLib格式，Altium Designer原理图库+PCB封装库，已在项目中验证使用，可以直接应用到你的项目开发。 </p><p><br/></p>
电力电子半导体器件GTR介绍
<p>该文档为电力电子半导体器件GTR介绍文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………</p>
实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 481页 11.3M.pdf
应用电路专辑 71册 594M<br/>实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 481页 11.3M.pdf
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晶闸管,可控硅专辑 14册 131M<br/>实用晶闸管电路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT应用 481页 11.3M.pdf
实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页 11.3M.pdf
实用电子技术专辑 385册 3.609G<br/>实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）481页 11.3M.pdf
IGBT模块系列
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的