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fram 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 53 篇文章，持续更新中。
TI MSP430FR5969 LAUNCHPAD 用户指南
本培训资料讲解的是TI 的MSP430 超低功耗 FRAM MCU MSP430FR5969。整个培训资料包括六个章节。在资料中，我们将为大家介绍MSP430 的嵌入式 FRAM 技术、FR59 器件的内核架构，并简要介绍各种外设以及它们集成到超低功耗框架中的方式。同时会配合MSP430FR5969 的 Launchpad 来评估这个器件的各种独特功能。
TI MSP430FR5969 培训视频大全
TI MSP430 超低功耗 FRAM MCU MSP430FR5969的全部12集视频教程。
TI MSP430FR5969 实验项目
最完整的TI MSP430 超低功耗 FRAM MCU MSP430FR5969 实验项目。
TI MSP430FR5969 技术资料合集
10份最有价值的PDF版本TI MSP430 超低功耗 FRAM MCU MSP430FR5969 技术文档。
FM25640 FRAM code for renesas M16c...I coded and optimized (-:cool:-)
FM25640 FRAM code for renesas M16c...I coded and optimized
(-:cool:-)
FM25L16的嵌入式驱动程序
FM25L16的嵌入式驱动程序，用于对FRAM的程序编写
fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有B
fm1808中文资料
描述
FM1808是用先进的铁电技术制造的
256K位的非易失性的记忆体 铁电随机
存储器 FRAM 是一种具有非易失
性 并且可以象RAM一样快速读写 但
它没有BBSRAM模组系统的设计复杂
性 缺点和相关的可靠性问题 数据在
掉电可以保存10年 高速写以及高擦写
次数使得它比EEPROM或其他非易失性
存储器可靠性更高 系统更简单
DEMO程序 单周期8051内核 8K铁电FRAM 56IO 4KRAM 40MIPS
DEMO程序
单周期8051内核
8K铁电FRAM
56IO
4KRAM
40MIPS
VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存储器的8051MCU。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。
VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存储器的8051MCU。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。单周期8051处理器 内核可以提供高达 4O MIPS的吞吐量，并且与标准8051s指令兼容。
FM25CL64 FRAM IC controlled through SPI interface reading and writing functions using atmel atmega88
FM25CL64 FRAM IC controlled through SPI interface reading and writing functions using atmel atmega88
这个文件是用C语言写的读写FRAM的24C256器件的的源程序。
这个文件是用C语言写的读写FRAM的24C256器件的的源程序。
单周期8051内核 8K铁电FRAM 56IO 4KRAM 40MIPS
单周期8051内核
8K铁电FRAM
56IO
4KRAM
40MIPS
使用STC单片机的SPI控制器读写FRAM的程序
使用STC单片机的SPI控制器读写FRAM的程序