P沟道MOSFET
共 231 篇文章
P沟道MOSFET 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 231 篇文章，持续更新中。
西门子S7-200 CPU PID控制图解
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PID控制器由比例单元(P)、积分单元(I)和微分单元(D)组成。其输入e (t)与输出u (t)的关系为 u(t)=kp[e(t)+1/TI∫e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中积分的上下限分别是0和t</p>
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因此它的传递函数为：G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s]</p>
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其中kp为比例系数; TI为积分时间常数;
运算放大器中的虚断虚短应用
<P> 虚短和虚断的概念</P>
<P> 由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。</P>
<P> “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一
PCI ExpressTM Architecture
<P>PCI ExpressTM Architecture</P>
<P>Add-in Card Compliance Checklist for the PCI Express Base 1.0a Specification<BR>The PCI Special Interest Group disclaims all warranties and liability for the use o
ZCS PWM DC-DC变换器的建模
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分析了ZCS PWM DC/DC变换器电路的工作原理,探讨了主要参数的设定,并建立了基于Matlab的仿真模型,通过选择参数对仿真模型和程序进行校核和调试.</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12020Q5203Q02.jpg" style="width: 362px; height: 213px"
简化精密测量的高输入阻抗ADC
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High input impedance and a wide input range are twohighly desirable features in a precision analog-to-digitalconverter, and the LTC®2449 delta-sigma ADC has both.With just a
BJT与MOSFET的开关应用
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本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p>
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前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试
施耐德真空断路器说明书PDF
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施耐德真空断路器说明书</p>
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概述 3<br />
标准与规范 3<br />
使用环境 3<br />
型号说明 3<br />
EV12s 真空断路器的电气性能 4<br />
详细技术参数 5<br />
外形尺寸 6<br />
电气接线原理图 11<br />
底盘车接地方式 15<br />
EV12s 真空断路器与开关柜的配合尺寸 16<br
三菱PLC编程软件 中文版下载
三菱PLC编程软件（中文）. 三菱FX系列PLC解密软件 V3.1里面包含了三菱PLC编程软件（中文）教程，安装方法<br />
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三菱PLC编程软件 GX-developer 安装详细说明<br />
请将软件安装压缩包解压到D盘根目录或者C盘根目录进行安装，太深的目录容易出错<br />
在安装程序之前，最好先把其他应用程序关闭，比如杀毒软件，防火墙，IE，办公软件
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谐波电流抑制
<P class=MsoNormal style="TEXT-JUSTIFY: inter-ideograph; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; TEXT-ALIGN: justify; mso-pagination: none"><FONT size=3>本文阐述电视机、显示器和微机等产品的谐波电流产生原因，介绍抑制谐波电流的方法及设计时
高增益跨导型运算放大器设计
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运算放大器作为模拟集成电路设计的基础，同时作为DAC校准电路的一部分，本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12020Q63525448.jpg" style="width: 656px; height: 360px; " /></p>
中控内部PID参数调整讲座资料
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在过程控制中，按偏差的比例（P）、积分（I）和微分（D）进行控制的PID控制器（亦称PID调节器）是应用最为广泛的一种自动控制器。</p>
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<img alt="" height="351" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-1201131GA3208.jpg" width="489" /></p>
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.c
宽带低相噪高分辨率频率合成器设计
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利用锁相环(PLL)和YTO相结合,设计出一种频率合成器。实现了3～7 GHz的频率覆盖和低于0.2 Hz的频率分辨率。全频段相噪均在-108 dBc/Hz@10 kHz以下,具有较高的实用价值。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12041Q6001TD.jpg" /></p>
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MEMS麦克风有助于提高系统设计效率
A MEMS microphone IC is unique among Analog Devices, Inc., products in that its input is an acoustic pressure wave. For this reason, some specifications included in the data sheets for these parts may
随机变量及其分布
<P>1．(Ch2-2)一批零件中有9个合格品与3个废品，安装时从这批零件中任取一个，如果每次取出的废品不再放回，求在取得合格品以前取出的废品数的分布律。</P>
<P>分析：在取得合格品以前取出的废品数是一随机变量，要求其分布律，只需确定随机变量的一切可能取值及相应的概率即可。</P>
<P>解：设X表示在取得合格品以前取出的废品数，由题意知X的可能取值为0，</P>
关于MOSFET应用时的散热设计方法
关于MOSFET应用时的热设计方法。
AN-741鲜为人知的相位噪声特性
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关于相位噪声专题的信息有很多，包括相位噪声特性1、相位噪声测量方法2以及它对系统性能的影响3。众所周知，振荡器和时钟的相位噪声已成为导致现代无线电系统性能降低的因素之一。然而，大多数传统相位噪声分析仅将重点放在单载波无线电系统中正弦波信号的降低，而相位噪声对多载波接收机、宽带系统或数字无线电的影响则很少涉及。本应用笔记将讨论一些与数据采样系统相位噪声有
更改ADM1073的电流限值
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ADM1073 –48 V热插拔控制器，可通过动态控制置于电源路径中外部N沟道FET上的栅极电压，精确限制该电源产生的电流。内部检测放大器可以检测连接在电源VEE和SENSE引脚之间的检测电阻上的电压。该电平体现了负载电流水平。检测放大器具有100 mV (±3%)的预设控制环路阈值。这意味着当检测电阻上检测到100 mV的电压时，电流控制环路就会调节负载电
模拟无绳电话电路分析
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无绳电话机由主机（座机或母机）和副机（即手机或子机）构成，采用无线方式连接，利用无线电波进行通信。使用时将主机接入市话网内，用户可以在一定空间内自由移动，随时实现正常的寻呼和通话功能。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111230144130439.jpg" /></p>
场效应晶体管放大电路的动态分析
<P> 场效应晶体管放大电路的动态分析</P>
<P> 共源组态基本放大电路的动态分析</P>
<P> 共漏组态基本放大电路的动态分析</P>