ONsemi
共 11 篇文章
ONsemi 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 11 篇文章，持续更新中。
NCP1650型功率因数校正器理
利用有源功率因数校正技术可以大大提高电能利用率，降低线路损耗，减小电网的谐波污染，提高电网质量。介绍了美国Onsemi公司最新推出的NCP1650型功率因数校正集成电路的性能特点及工作原理
NCV33035_ONSEMI_443633.pdf
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连续导通电流型PFC设计程序
连续导通平均电流型的PFC电路适合中功率和大功率使用。它的峰值电流相对较小，电感及功率MOSFET都比较好选择。ONSEMI公司最新推出的NCP1653即是一款很优秀的控制IC。
高速遥感卫星信号接口技术的研究与实现
本文介绍了一种双通道高速遥感卫星信号接口技术的研究与实现。基于Onsemi 公<BR>司的高速ECL 电平转换相关芯片以及Altera 公司等效门数为25 万门的高速FPGA<BR>Cyclone 芯
扩频基带处理器Sx043
扩频通信基带处理器，AMI(现ONSemi)
SIMPLIS环境中开关电源控制芯片的仿真
<p>利用SIMPLIS仿真软件以ONSEMI的NCP1230芯片为例进行建模仿真。</p>
几种常用的防反接保护电路
<p>1，通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示：这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样效率低，发热量大，要加散热器。</p><p>2,另外还可以用二极管桥对输入做整
具有稳定温度特性的快速低噪声JFET放大器
<p>虽然JFET 是适用于低成本高输入阻抗放大器的优秀器件， 但存在着与温度有关的增益漂移问题。不过只要在-55℃至125℃温度范围内将漏极电流设为零漂移工作点就能改善这个问题。</p><p>我们针对此电路测试了多种JFET：索尼的2SK152-2、 Interfet的IFN152以及 Siliconix/Vishay/OnSemi的J309，因为它们都具有较高的增益和大约100pA的低栅极漏电
ONSEMI 官方的IGBT应用手册 Application-Manual-Power-Semiconductors
<p>ONSEMI 官方的IGBT应用手册，书中有基础的关于IGBT datasheet的解读方法，IGBT门极驱动电路讲解，IGBT开关过程分析及损耗计算，并联使用方法，封装热模型，IGBT 发热计算等等。各个要点说明很详细，对于IGBT基础理解和应用有很大的帮助。</p>
Xilinx Spartan 6的DDR3原理图+用户手册
<p>板子采用4层PCB，层叠情况：Top -> GND -> Power -> Bottom板子芯片情况：<br style="color: rgb(33, 33, 33); text-transform: none; text-indent: 0px; letter-spacing: normal; font-family: "Helvetica Neue"
反激式准谐振开关电源工作频率确定及电源研制
摘要:采用ONSEMI公司的NCP12系列芯片制成了准谐振(QR)零电压切换(ZVS)电源.介绍了用准谐振技术使反激式开关电源获得的零电压切换效果,详细讨论了该电源工作频率的确定方法,给出了所研制电源的电路及其工作波形.由电路波形及测量数据看出,改进后的电路开关损耗显著降低,取得了较好的效果.<br />
关键词:电源;脉宽调制/准谐振;零电压切换