MEMORY
共 712 篇文章
MEMORY 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 712 篇文章，持续更新中。
深入理解SD卡
SD卡（Secure Digital Memory Card）是一种为满足安全性、容量、性能和使用环境等各
方面的需求而设计的一种新型存储器件，SD卡允许在两种模式下工作，即SD模式和SPI模式，
本系统采用SPI模式。
CF卡在单片机系统中的应用
Compact Flash Card卡是近年来发展迅速的一种非易失性存储器,其内部集成了微控制器、Flash Memory阵列和读写缓冲区,具有体积小、存储容量大、数据保存具有非易失性、接口标准统一、便于携带等优点.文章介绍了Compact Flash Card的结构、工作方式和磁盘文件管理系统及在Compact Flash Card上的应用.并给出了Compact Flash Card与单片机的
stm32f4xx dsp fsmc sram data memory 例程
stm32f4xx dsp fsmc sram data memory 例程
闪存芯片KM29N32000TS在单片机系统
介绍32M位闪存芯片(Flash Memory)KM29N32000TS,并以87C552单片机为例介绍它在单片机系统中的硬件连接和软件编制方法.该芯片与单片机的硬件连接电路简单,可扩容能力强,易于编程,且体积小、容量大,具有很高的实用价值.
基于TMS320C6416高速数据传输接口设计
· 摘要： DSP(digital signal processing)因其强大的数据处理能力,在通讯、图像处理、雷达等领域应用越来越广泛.要使DSP充分发挥其强大数据处理能力,外部的数据接口设计便显的极为重要.本文通过实践,在一个双TMS320C6416的系统中,设计了一种利用EDMA(Enhanced Direct Memory Access)+MCBSP(Muhicha
闪存芯片KM29N32000TS在单片机系统
介绍32M位闪存芯片(Flash Memory)KM29N32000TS,并以87C552单片机为例介绍它在单片机系统中的硬件连接和软件编制方法.该芯片与单片机的硬件连接电路简单,可扩容能力强,易于编程,且体积小、容量大,具有很高的实用价值.
基于DSP_LF2407_A的闪存可编程实现技术
· 摘要： 介绍了新型高性能数字信号处理器LF2407A的特性和一种闪速存储器29C256的工作原理,并介绍了基于LF2407A控制29C256(flash memory)进行数据存储/读取的软硬件实现方案.此方案将程序中用到的大量数据存储在29C256中,从而保证了程序存储器的充分利用,巧妙地解决了程序存储区不足的问题,实现了存储器的扩展.
SN74LS612.pdf
英文描述： SN54LS610, SN54LS612, SN74LS610 THRU 74LS613 MEMORY MAPPERS
中文描述： SN54LS610，SN54LS612，SN74LS610 7860 74LS613内存映射
SN74LS613.pdf
英文描述： SN54LS610, SN54LS612, SN74LS610 THRU 74LS613 MEMORY MAPPERS
中文描述： SN54LS610，SN54LS612，SN74LS610 7860 74LS613内存映射
SN74LS601A.pdf
英文描述： Memory Refresh Controllers
中文描述： 内存刷新控制器
SN74LS611.pdf
英文描述： SN54LS610, SN54LS612, SN74LS610 THRU 74LS613 MEMORY MAPPERS
SN74LS603A.pdf
英文描述： Memory Refresh Controllers
中文描述： 内存刷新控制器
74LS289.pdf
英文描述： 64BIT RANDOM ACCESS MEMORY
中文描述： 64位随机存取存储器
Sd_cnfg.vsd
Sd_cnfg.vsd
Introduction
Synchronous DRAMs have become the memory standard in many designs. They provide substantial advances in
DRAM performance. They synchronously burst data at clock speeds pres
Sd_sig.vsd
Sd_sig.vsd
Introduction
Synchronous DRAMs have become the memory standard in many designs. They provide substantial advances in
DRAM performance. They synchronously burst data at clock speeds prese
at89c2051-24pu
Features
• Compatible with MCS®-51Products
• 2K Bytes of Reprogrammable Flash Memory
– Endurance: 1,000 Write/Erase Cycles
• 2.7V to 6V Operating Range
• Fully Static Operation: 0 Hz to 24 MHz
•
Memory内存种类大全与简介
介绍MEMEROY的 类型,便于查看和区分日常的存储类别.
MSC1210英文资料
MSC1210英文资料，共88页
Precision Analog-to-Digital Converter (ADC)
with 8051 Microcontroller and Flash Memory
AL422B
The AL422B consists of 3M-bits of DRAM, and is configured as 393,216 words x 8 bit FIFO (first
in first out). The interface is very user-friendly since all complicated DRAM operations are already
ma
CC1110F32RSPR
The CC1110Fx/CC1111Fx is a true low-power sub-
1 GHz system-on-chip (SoC) designed for lowpower
wireless applications. The
CC1110Fx/CC1111Fx combines the excellent
performance of the state-of-the-