IC电子
共 159 篇文章
IC电子 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 159 篇文章，持续更新中。
很全的电子元器件基础知识讲义
常用电子元器件的基本知识归纳！适合初学者使用借鉴！
数字电子技术基础.第四版高等教育出版社
主要讲数电部分
单极超微能耗智能照明控制墙壁开关
发明人简介：发明人米有泉是复合型人才，在电子领域很有造就，给国内外众多企业开发设计了不少创新产品解决了不少技术难题。<BR>单极开关是串联在一根火线与负载一端之间或者串联在一根零线与负载一端之间的控制开关,比如智能照明控制墙壁开关和机械墙照明控制壁开关就是单极开关。要解决的技术壁垒是串联供电难题，开发难度相当大。<BR>双极开关是并联在零火线上的控制开关,比如电视、空调、风扇、装在灯具里的吸顶遥控
模拟电子基础器件动画模拟视频教程1
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
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第5章 频谱的线性搬移电路1
高频电子线路
2012TI电子设计大赛——微弱信号检测装置
微弱信号检测装置<br />
四川理工学院 刘鹏飞、梁天德、曾学明<br />
摘要：<br />
本设计以TI的Launch Pad为核心板，采用锁相放大技术设计并制作了一套微弱信号检测装置，用以检测在强噪声背景下已知频率微弱正弦波信号的幅度值，并在液晶屏上数字显示出所测信号相应的幅度值。实验结果显示其抗干扰能力强，测量精度高。<br />
关键词：强噪声；微弱信号；锁相放大
39种电子元件检验要求
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基础电路设计必备,39种电子元件检验要求<span style="display: none"> </span>。</p>
正确的混合信号设计印刷电路板(PCB)的接地
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Abstract: This tutorial discusses proper printed-circuit board (PCB) grounding for mixed-signal designs. Formost applications a simple method without cuts in the ground plane allows for success
模拟电子知识
....................模拟电子知识
模拟电子技术
从元件基础到电路认识整个过程
模拟电子电路的一点学习方法
模拟电路的一点学习方法
数字隔离器为工业电机驱动应用带来性能优势
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工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源电路会在电机绕组上导致电压沿激增现象，而这些电压沿则可以电容耦合进低电压电路之中。电源电路中，电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和传感器之间的长电缆形成多种路径，可将噪声耦合到控制反馈信号中。高性能驱动器需要必须与高噪声电源电路隔离开的高保真反馈控制和信号。在典型的驱动系统中，
50个典型电路分析
在电子制作和设计，经常会用到不同参数的电感线圈，这些线圈的电感量不像电阻那么容易测量，有些数字万用表虽有电感测量挡，但测量范围很有限。该电路以谐振方法测量电感值，测量下限可达10nH，测量范围很宽，能满足正常情况下的电感量测量，电路结构简单，工作可靠稳定，适合于爱好者制作。<br />
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振荡电路的设计-实用电子路
振荡电路的设计-实用电子路
BJT与MOSFET的开关应用
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本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p>
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前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试
模拟电路基础入门教程
模拟电路最简单入门教程，学电子技术得从零基础开始
功放机原理及检修
为了帮助广大电子爱好者了解、掌握AV功放的电路结构、工作原理和维修特点，本刊特约有关作者编写了“AV功放原理与维修”的讲座，拟就AV功放的前置处理电路、卡拉OK电路、杜比定向逻辑解码器、DSP和SRS声场处理电路、荧光屏显示与驱动电路、频谱均衡控制与显示电路、电源电路、遥控与微电脑控制电路、功率放大电路的原理与AV功放维修方面的问题与大家交流。欢迎广大读者关注并参与探讨。<
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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