GSM参数
共 80 篇文章
GSM参数 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 80 篇文章，持续更新中。
2SJ系列场效应管参数大全
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2SJ系列场效应管参数大全:</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-1201091613253I.jpg" style="width: 482px; height: 156px" /></p>
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
一种改进的动态反馈负载均衡算法
<span id="LbZY"> 在集群系统中，负载均衡算法是影响系统性能的关键因素之一。为了进一步提高集群系统的性能，有必要对负载均衡算法进行优化。通过对最小连接算法和DFB（Dynamic Feed-Back）算法的详细分析，提出了一种改进的动态反馈负载均衡算法。该算法通过收集每台服务器的实时性能参数，动态地计算出各服务节点的分配概率，并由此决定用户请求分配给哪一个服务节点。通过对上
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
石英晶体振荡器性能参数测试系统研究
<span id="LbZY">文章介绍了石英晶体振荡器的特点及性能参数，由于人工测量繁琐，且容易出错等不足，提出了一种智能测量方法。该方法利用计算机控制技术，实现自动测试石英晶体振荡器的性能参数，并打印测试结果，减少了强度，提高了检测效率。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130H4163615J8.jpg" styl
PID温度控制的PLC程序设计
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PID由于用途广泛、使用灵活，已有系列化产品，使用中只需设定三个参数(Kp， Ti和Td)即可。在很多情况下，并不一定需要全部三个单元，可以取其中的一到两个单元，但比例控制单元是必不可少的。</p>
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基于FPGA的DDC中CIC滤波器的设计
<span id="LbZY">文中基于多速率数字信号处理原理，设计了用于数字下变频技术的CIC抽取滤波器。通过分析CIC滤波器的原理及性能参数，利用MATLAB设计了符合系统要求的CIC滤波器，并通过FPGA实现了CIC滤波器的设计。</span><br />
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正弦波信号参数分析仪_黄智强
信号类分析
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料
MOS管的资料
滤波器的参数
<P>滤波器的概述,滤波器的种类,滤波器的原理介绍,滤波器的主要参数说明.</P>
<P><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/2008831056537948.jpg" border=0></P>
多反馈滤波器学习笔记
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多反馈滤波器是一种流行的滤波器结构，以运算放大器作为积分器，如图1所示。因而，其传递函数对运算放大器参数的依赖度高于Sallen-Key设计。
虚拟实现技术在典型差动放大电路特性分析中的应用
介绍了差动放大电路演变历程，理论上分析了典型差动放大的工作原理以及特性参数的计算公式：应用虚拟实现技术一Pmteus软件进行了静态特性、差模输入信号、共模输入信号的实验研究，并对实验现象进行了分析。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032G543209B.jpg" /><br />
液压传动系统设计与计算
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液压系统设计的步骤大致如下：<br />
1.明确设计要求，进行工况分析。<br />
2.初定液压系统的主要参数。<br />
3.拟定液压系统原理图。<br />
4.计算和选择液压元件。<br />
5.估算液压系统性能。<br />
6.绘制工作图和编写技术文件。<br />
根据液压系统的具体内容，上述设计步骤可能会有所不同，下面对各步骤的具体内容进行介绍。</p
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
双极运算放大器的辐射效应和退火特性
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本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
大学物理实验RC电路时间常数的Multisim仿真测试
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的，采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发，分析了uC与时间常数之间的关系，给出了几种Multis
一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
世界最新晶体管代换手册
<P>世界最新晶体管代换手册</P>
<P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P>
<P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶