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CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 &mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的

CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路

共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应,在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路,且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12