BIPOLAR
共 42 篇文章
BIPOLAR 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 42 篇文章，持续更新中。
新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术
<p>IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）</p><p>绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）</p><p>和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽
逆变器IGBT损坏原因分析及处理
<p>1前言</p><p>莱钢型钢厂大型生产线传动系统采用西门子</p><p>SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交电压型变频器供电，变频器采用公共直流母线式结构；冷床传输链采用4台电机单独传动，每台电机分别由独立的逆变单元控制，逆变单元的控制方式为无速度编码器的矢量控制，相互之间依靠速度给定的同时性保持同步。自2005年投入生产以来，冷床传输链运行较为稳定，但2007年2月以后，冷床
用于10kVIGBT固体开关的脉冲变压器设计
<p>由于高重复频率固体开关在加速器、雷达发射机、高功率微波和污染控制等领域存在的潜在优势，美国、英国、日本和韩国等都对固体开关技术进行了大量研究，从而成为近年脉冲功率界研究的重点1。从固体元件电路结构上，固体开关可以分成两种类型：串联结构和累加器结构。采用串联结构的固体开关生产厂家中，比较著名的有LLNL（Lawrence Livermore National Laboratory）和DTI（D
三菱第五代IGBT应用手册
<p>三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。</p><p>第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术，并具有正温度系数特征，与传统的沟槽型构造IGB
实用模拟电路设计 (Marc T. Thompson)
<p>本书是 Marc Thompson 博士 20 年模拟电路设计和教学经验的总结，讲述了模拟电路与系统设计中常用的直观分析方法。本书提出了“模拟电路直观方法学”，力图帮助学生和设计人员摆脱复杂的理论推导与计算，充分利用直观知识来应对模拟电路工程设计挑战。全书共分为 16 章，内容涵盖了二极管、晶体管、放大器、滤波器、反馈系统等模拟电路的基本知识与设计方法。</p><p><br/></p><p>
AT89S52单片机主8入8出继电器工控主板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件
<p>AT89S52单片机主8入8出继电器工控主板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,</p><p>2层板设计，大小为121x149mm，Altium Designer 设计的工程文件，包括完整的原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你的产品设计的参考。</p><p>主要器件型号列表如下：</p><p>Library Component Count : 25</p
音频放大器设计
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This design uses Common-Emitter Amplifier (Class A) with 2N3904 Bipolar Junction Transistor.<span style="display:none;" id="__kindeditor_bookmark_start_6__"></span>
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selects the mux channel and configures the MAX197 for second write pulse, written with ACQMOD = 0,
selects the mux channel and configures the MAX197 for
second write pulse, written with ACQMOD = 0, termi-
either unipolar or bipolar input range. A write pulse (WR
nates acquisition and starts conv
selects the mux channel and configures the MAX197 for second write pulse, written with ACQMOD = 0,
selects the mux channel and configures the MAX197 for
second write pulse, written with ACQMOD = 0, termi-
either unipolar or bipolar input range. A write pulse (WR
nates acquisition and starts conv
spice NPN bipolar transistor amplifier
spice NPN bipolar transistor amplifier
Application Note Abstract The unique configuration of the PSoC® switched capacitor blocks allows
Application Note Abstract
The unique configuration of the PSoC® switched capacitor blocks allows construction of a programmable bipolar current
source. A detailed explanation of this function is
Generate random bits, convert to bipolar, corrupt the message by passing through noise and decode us
Generate random bits, convert to bipolar, corrupt the message by passing through noise and decode using hard decision decoding and calculate BER
用于大功率IGBT的驱动电路
对大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动波形、驱动功率、布线等方面进行了分析和讨论，介绍了一种用于大功率IGBT 的驱动电路。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120502145154L6.jpg" />
selects the mux channel and configures the MAX197 for second write pulse, written with ACQMOD = 0,
selects the mux channel and configures the MAX197 for
second write pulse, written with ACQMOD = 0, termi-
either unipolar or bipolar input range. A write pulse (WR
nates acquisition and starts conv
HDB3编解码器设计
HDB3(High Density Bipolar三阶高密度双极性)码是在AMI码的基础上改进的一种双极性归零码，它除具有AMI码功率谱中无直流分量，可进行差错自检等优点外，还克服了AMI码当信息中出现连“0”码时定时提取困难的缺点，而且HDB3码频谱能量主要集中在基波频率以下，占用频带较窄，是ITU-TG.703推荐的PCM基群、二次群和三次群的数字传输接口码型,因此HD
低噪声放大器(LNA)
LNA的功能和指标<BR>二端口网络的噪声系数<BR>Bipolar LNA<BR>MOS LNA<BR>非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声<BR>CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配<BR>参考文献<BR>LNA 的功能和指标<BR>• 第一级有源电路，其噪声、非线性、匹配等性<BR>能对整个接收机至关重要<BR>• 主要指标<BR>– 噪声系数(NF)<BR>取决于系统
基于8098单片机的SPWM变频调速系统
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数字控制的交流调速系统所选用的微处理器、功率器件及产生PWM波的方法是影响交流调速系统性能好坏的直接因素。在介绍了正弦脉宽调制(SPWM)技术的基础上，设计了一种以8098单片机作为控制器，以智能功率模块IPM为开关器件的变频调速系统。通过软件编程，产生正弦脉冲宽度调制波形来控制绝缘栅双极晶体管的导通和关断，从而达到控制异步电动机转速的目的。实验结果表明，该系统可调频率调电压，稳定度
使用LTC运算放大器宏模型
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This application note is an overview discussion of theLinear Technology SPICE macromodel library. It assumeslittle if any prior knowledge of this software library or itshistory.
COOLMOS全面认识
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Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 6
IGBT模块系列
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的