58电阻

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58电阻 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 47 篇文章,持续更新中。

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

整流滤波电容的设计与选用方法研究

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路,其中滤波电容的设计选取,直接影响到纹波电压的大小,关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下,依据整流滤波

CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。<br /> 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区

一种带振幅调节的晶体振荡器

<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 &mu;m、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-

I2C上拉电阻取值问题

I2C 的上拉电阻可以是1.5K,2.2K,4.7K, 电阻的大小对时序有一定影响,对信号的上升时间和下降时间也有影响,一般接1.5K 或2.2K.<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032115060B50.jpg" />

2.5Gbs限幅放大器设计

限幅放大器信号通道利用多级放大方式&quot;降低了输出信号上升:下降时间&quot;减小了级间驱动能力不匹配对信号完整性的影响#通过负反馈环路消除了信号通道上的偏移电压&quot;采用独特的迟滞技术&quot;使检测电路的迟滞对外接电阻变化不敏感!<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120329145610648

电感和磁珠的区别及应用场合和作用

<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT face=宋体>磁珠由氧磁体组成,电感由磁心和线圈组成,磁珠把交流信号转化为热能,电感把交流存储起来,缓慢的释放出去。<p></p></FONT></P> <P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT fa

电位计讯号转换器

电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1.产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离;如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号,机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器,除了能提供两组讯号输出(输出间隔离)或24V激发电源供传送器

运算放大器中的虚断虚短应用

<P>  虚短和虚断的概念</P> <P>  由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。</P> <P>  “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一

50个典型电路分析

在电子制作和设计,经常会用到不同参数的电感线圈,这些线圈的电感量不像电阻那么容易测量,有些数字万用表虽有电感测量挡,但测量范围很有限。该电路以谐振方法测量电感值,测量下限可达10nH,测量范围很宽,能满足正常情况下的电感量测量,电路结构简单,工作可靠稳定,适合于爱好者制作。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120

BJT与MOSFET的开关应用

<p>   本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p> <p>   前段时间,一同学跟我说,他用单片机做了一个简单的 LED 台灯,用 PWM的方式控制灯的亮度,但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一,我问他3V 时 LED 的发光电流是多大,他说大概十几到二十 mA,我又问他电阻多大,他说 10K&Omega;。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试

使用负输入电压的单电源全差动放大器驱动ADC

<div> 单端双极输入信号的推荐电路如图 1 所示。Vs+ 是放大器的电源;负电源输入接地。VIN 为输入信号源,其表现为一个在接地电位(&plusmn;0 V)附近摆动的接地参考信号,从而形成一个双极信号。RG 和 RF 为放大器的主增益设置电阻。VOUT+和 VOUT- 为 ADC 的差动输出信号。它们的相位差为 180o,并且电平转换为VOCM。<br /> <br /> <img

更改ADM1073的电流限值

<div> ADM1073 &ndash;48 V热插拔控制器,可通过动态控制置于电源路径中外部N沟道FET上的栅极电压,精确限制该电源产生的电流。内部检测放大器可以检测连接在电源VEE和SENSE引脚之间的检测电阻上的电压。该电平体现了负载电流水平。检测放大器具有100 mV (&plusmn;3%)的预设控制环路阈值。这意味着当检测电阻上检测到100 mV的电压时,电流控制环路就会调节负载电

CMOS模拟开关工作原理

<P class=MsoNormal style="BACKGROUND: white; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan" align=left><FONT size=3>开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器,当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时,继电器就吸合或

256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)

采用单片机的8位输出口,每个输出口接入1只电阻,其阻值为2n次方,由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联),此电阻接入比较器并控制可控硅导通角,实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。

康沃制动单元技术特点

康沃制动单元技术特点概述,制动电阻的计算与选取和IGBT的保护

上下拉电阻小结

上下拉电阻的小结,希望对大家有用

基于Multisim11的饮水机制冷控制电路仿真设计

<span id="LbZY">文中结合制冷饮水机温控主要部件NTC热敏电阻的温度特性,利用Multisim11建立了该NTC的仿真模型,并根据模型参数设计了饮水机的自动制冷控制电路,最后对温控电路进行了基于水温变化的电路参数扫描分析,仿真运行的结果达到了设计预期要求。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-13062

CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

<div> 为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS

电路分析基础-ppt教程

<P>第一章&nbsp; 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1&nbsp; 电路与电路模型<BR>1.2&nbsp; 电路分析的基本变量<BR>1.3&nbsp; 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4&nbsp; 基尔霍夫定律<BR>1.5&nbsp; 受&nbsp; 控&nbsp; 源<BR>1.6&nbsp; 两类约束和KCL,KVL方程