256B
共 14 篇文章
256B 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 14 篇文章,持续更新中。
DS9109
【STM8L052C6】超值型,8位超低功耗微控制器,32KB闪存,256B数据EEPROM,RTC,LCD,TIM,USART,I2C,SPI和ADC
AT24C02B
介绍一款大小为256B字节的eepROM,主要用来存一些掉电需要保存的重要参数
8155芯片介绍
8155芯片介绍关于Intel的8155/8156:是一多功能的可编程外围接口芯片,内部资源有256B的RAM,2个8位、1个6位的I/O口和1个14位的“减1”计数器。40脚双列直插封装。
DS9111
【STM8L052R8】超值型,8位超低功耗微控制器,64KB闪存,256B数据EEPROM,RTC,LCD,TIM,USART,I2C,SPI和ADC
256B ecc(writed by c++)
256B ecc(writed by c++)
VIP专区-嵌入式/单片机编程源码精选合集系列(36)
<b>VIP专区-嵌入式/单片机编程源码精选合集系列(36)</b><font color="red">资源包含以下内容:</font><br/>1. C51
I2C
驱动程序
含头文件.<br/>2. arm芯 ucos 下的开发框架.<br/>3. c8051f***的程序源代码.<br/>4. 新华龙单片机的flash用法.<br/>5. 用C8051F300设计锂离子电池充电器的解决
MSC-51系列单片机内有128B或256B的RAM数据存储器
MSC-51系列单片机内有128B或256B的RAM数据存储器,对一般应用场合,内部 RAM可以满
足系统对数据存储器的要求,但对需要大容量数据缓冲器的应用系统(如数据采集系统),仅片内的RAM存储器往往不够用,这种情况下,就需要在单片机外部扩展数据存储器。
MSC-51与外部数据存储器的一般连接方法:外部数据存储器的高8位地址由P2口提供,低8位地址线接地址锁存器的输出端。外部RAM的读、
用C51实现的拼音输入法,这是改写的网友 embuffalo、独步上载在www.21ic.com自由发布区的由张凯原作的51上的拼音输入法程序。 原作使用了一个二维数组用以查表
用C51实现的拼音输入法,这是改写的网友 embuffalo、独步上载在www.21ic.com自由发布区的由张凯原作的51上的拼音输入法程序。
原作使用了一个二维数组用以查表,我认为这样比较的浪费空间,而且每个字表的索引地址要手工输入,效率不高。所以我用结构体将其改写了一下。就是大家现在看到的这个。
因为代码比较的大,共有6,000多汉字,这样就得要12,000 byte来存放GB内码,
ADuC812是美国AD公司推出的高性能单片机
ADuC812是美国AD公司推出的高性能单片机,具有集成度高、资源丰富等特点。
(1) 基于8051的内核,指令系统与8051兼容,额定工作频率12MHz。
(2) 8KB片内闪速/电擦除程序存储器 640B片内闪速/电擦除数据存储器 256B片内数据RAM。
(3) 3个16位的定时器/计数器 32根可编程I/O线 9个中断源,2个优先级。
(4) 1个8通道,高精度12位ADC 2个1
89C516RD+的两个AD转换程序,89C51是22.1184MHZ,有64KB Flash 256B(DataRAM)+1024B(Ext.RAM)的性价比很高的MCU
89C516RD+的两个AD转换程序,89C51是22.1184MHZ,有64KB Flash 256B(DataRAM)+1024B(Ext.RAM)的性价比很高的MCU
C8051F单片机产品技术要点
<P>高性能CPU-CIP51</P>
<P>♦ 高速流水线结构 CPU (25−100 MIPS)<BR>♦ 完全兼容 8051 源码和机器码级<BR>♦ 大多数指令执行时间为 1−2 时钟周期 (标准8051为12−24)<BR>♦ 可在系统编程FLASH (2 KB — 128 KB)<BR>♦
C8051F单片机产品技术要点
高性能 CPU ——CIP51<BR>♦ 高速流水线结构 CPU (25−100 MIPS)<BR>♦ 完全兼容 8051 源码和机器码级<BR>♦ 大多数指令执行时间为 1−2 时钟周期 (标准8051为12−24)<BR>♦ 可在系统编程FLASH (2 KB —128 KB)<BR>♦ 指令高速缓
MSP430F413实现的智能遥控器设计
MSP430F413实现的智能遥控器设计:MSP430F413 单片机是TI 公司最近推出的超低功耗混合信号16 位单片机系列中的一种。它采用16 位精简指令系统,125ns 指令周期,大部分的指令在一个指令周期内完成,16 位寄存器和常数发生器,发挥了最高的代码效率,而且片内含有硬件乘法器,大大节省运算的时间。该芯片采用低功耗设计,具有五种低功耗模式,供电电压范围为1.8~3.6V,在工作模式下
用C51写的普通拼音输入法源程序代码
<P>用C51写的普通拼音输入法源程序代码:原作使用了一个二维数组用以查表,我认为这样比较的浪费空间,而且每个字表的索引地址要手工输入,效率不高。所以我用结构体将其改写了一下。就是大家现在看到的这个。 因为代码比较的大,共有6,000多汉字,这样就得要12,000 byte来存放GB内码,所以也是没办法的.编译结果约为3000h,因为大部分是索引表,代码优化几乎无效。<BR>