验证测量
共 103 篇文章
验证测量 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 103 篇文章,持续更新中。
AN-741鲜为人知的相位噪声特性
<p>
</p>
<div>
关于相位噪声专题的信息有很多,包括相位噪声特性1、相位噪声测量方法2以及它对系统性能的影响3。众所周知,振荡器和时钟的相位噪声已成为导致现代无线电系统性能降低的因素之一。然而,大多数传统相位噪声分析仅将重点放在单载波无线电系统中正弦波信号的降低,而相位噪声对多载波接收机、宽带系统或数字无线电的影响则很少涉及。本应用笔记将讨论一些与数据采样系统相位噪声有
用12位阻抗转换器实现高精度阻抗测量
<div>
AD5933/AD5934的电流-电压(I-V)放大级还可能轻微增加信号链的不准确性。I-V转换级易受放大器的偏置电流、失调电压和CMRR影响。通过选择适当的外部分立放大器来执行I-V转换,用户可挑选一个具有低偏置电流和失调电压规格、出色CMRR的放大器,提高I-V转换的精度。该内部放大器随后可配置成一个简单的反相增益级。<br />
<img alt="" src="http:/
小型化数字测频接收机
本文介绍了AD公司的RF/IF相位和幅度测量芯片AD8302,并以此芯片为核心,组合功分器、延迟线和FPGA芯片设计了瞬时测频接收机,改进了传统的设计方案。依照设计制作了测频系统,并对系统整体性能进行了测试,测试结果表明本系统可以准确测量1.4~2.0 GHz范围内的信号,测频精度为10 MHz。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/im
成功实现超低光信号转换的七个步骤
在用于光检测的固态检波器中,光电二极管仍然是基本选择(图1)。光电二极管广泛用于光通信和医疗诊断。其他应用包括色彩测量、信息处理、条形码、相机曝光控制、电子束边缘检测、传真、激光准直、飞机着陆辅助和导弹制导。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R21611423Q.jpg" /><br />
ADV7511 HDCP 1.1使能_禁用选项
<div>
ADV7511 HDMI®发送器支持HDCP 1.1特性;然而,业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性,特别是增强链路验证(Pj校验),存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释,ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中,如果接收器在
一阶RC电路的暂态过程
<P> 一、实验目的</P>
<P> 1.观察RC电路充放电过程,掌握时间常数的测量方法。</P>
<P> 2.研究RC积分电路和微分电路的特点。</P>
<P> 二、实验任务</P>
<P> 1.观察记录图示电路的放电过程。求出时间常数τ。</P>
<P> 2.设计时间常数τ为1ms的RC积分电路和微分电路,用示波器观察在脉冲信号源周期不同(与时间常数相比,即输入脉冲宽度T<&
快响应低漂移微电流放大器的设计
<div>
介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术,该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一,其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-120215113115H2.jpg" />
模拟乘法器ADL5391的原理与应用
<span id="LbZY">简单介绍了ADI公司推出的新一代高性能模拟乘法器ADL5391的主要特性和工作原理。给出了基于ADL5391的宽带乘法器的典型应用电路,并对其进行了测试。最后设计了基于ADL5391的二倍频电路,测试结果表明该二倍频电路具有性能稳定、工作频带宽、测量精度高、抗干扰能力强等优点。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/
用于图像分类的有偏特征采样方法
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了模拟图像分类任务中待分类目标的可能分布,使特征采样点尽可能集中于目标区域,基于Yang的有偏采样算法提出了一种改进的有偏采样算法。原算法将目标基于区域特征出现的概率和显著图结合起来,计算用于特征采样的概率分布图,使
适合过程控制应用的完全可编程通用模拟前端
<p>
</p>
<div>
本电路针对过程控制应用提供一款完全可编程的通用模拟前端(AFE),支持2/3/4线RTD配置、带冷结补偿的热电偶输入、单极性和双极性输入电压、4 mA至20 mA输入,串行控制的8通道单刀单掷开关ADG1414用于配置选定的测量模式。
200mV~10V/0-24V电平单输入单输出模拟信号隔离变送器
转速传感器信号隔离变送器,正弦波整形 主要特性: >> 转速传感器信号直接输入,整形调理方波信号 >> 200mV峰值微弱信号的放大与整形 >> 正弦波、锯齿波信号输入,方波信号输出 >> 不改变原波形频率,响应速度快 >> 电源、信号:输入/输出 3000VDC三隔离 >> 供电电源:5V、12V、15V或24V直流单电源供
基于新型CCCII的电流模式积分电路
介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性,以及其基本组成共源共栅电流镜,并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上,设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路,并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/i
在ADIS16480中调谐扩展卡尔曼滤波器
<div>
ADIS16480是一款MEMS惯性测量单元(IMU),内置一个三轴加速度计、一个三轴陀螺仪、一个三轴磁力计和一个气压计。除了提供完全校准、帧同步的惯性MEMS传感器,ADIS16480还集成了一个扩展卡尔曼滤波器(EKF),可计算动态方位角。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1212131A41
通信系统中数字上变频技术的研究与设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">为了将通信系统中数字基带信号调制到中频信号上,采用数字上变频技术,通过对数字I、Q两路基带信号进行FIR成形滤波、半带插值滤波、数字混频处理得到正交调制
一种弱耦合非对称渐变线定向耦合器的快速设计
<span id="LbZY">给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法,以线性渐变为基础,通过仿真优化获取最优渐变,摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性,在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz,耦合度为-25dB的定向耦合器,利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。</span><br />
<br />
<br />
基于映射函数收缩算法的图像去噪方法
文中讨论了图像的高斯加性噪声模型和图像的稀疏性表示,提出了利用映射函数来描述图像的去噪过程,通过求解映射函数和利用映射函数对加噪图像的小波变换子带系数进行变换,达到了降低图像噪声并使加噪图像逼近原始图像的目的。经过实验比较,验证了本文算法的可行性和鲁棒性。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-13031216311DA.jp
数字预失真(DPD)算法研发工具和验证方案
在无线通信系统全面进入3G并开始迈向 4G的过程中,使用数字预失真技术(Digital Pre-distortion,以下简称DPD)对发射机的功放进行线性化是一门关键技术。功率放大器是通信系统中影响系统性能和覆盖范围的关键部件,非线性是功放的固有特性。非线性会引起频谱增长(spectral re-growth),从而造成邻道干扰,使带外杂散达不到协议标准规定的要求。非线性也会造成带内失真,带来系
数字预失真系统反馈通道增益平坦度的补偿
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对数字预失真系统对反馈链路平坦度的要求,提出一种在不断开模拟链路的前提下,采用单音测量WCDMA&LTE混模基站射频拉远单元反馈链路的增益平坦
流水线ADC的行为级仿真
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">行为级仿真是提高流水线(Pipeline)ADC设计效率的重要手段。建立精确的行为级模型是进行行为级仿真的关键。本文采用基于电路宏模型技术的运算放大器模型,构建了流水线ADC的行为级模型并进行仿真。为验证提出模型的精度
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/