门极电阻
共 98 篇文章
门极电阻 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 98 篇文章，持续更新中。
使用负输入电压的单电源全差动放大器驱动ADC
<div>
单端双极输入信号的推荐电路如图 1 所示。Vs+ 是放大器的电源；负电源输入接地。VIN 为输入信号源，其表现为一个在接地电位（±0 V）附近摆动的接地参考信号，从而形成一个双极信号。RG 和 RF 为放大器的主增益设置电阻。VOUT+和 VOUT- 为 ADC 的差动输出信号。它们的相位差为 180o，并且电平转换为VOCM。<br />
<br />
<img
二极管钳位电路
二极管，二极管钳位电路。
三极管及基本放大电路
三极管及基本放大电路
更改ADM1073的电流限值
<div>
ADM1073 –48 V热插拔控制器，可通过动态控制置于电源路径中外部N沟道FET上的栅极电压，精确限制该电源产生的电流。内部检测放大器可以检测连接在电源VEE和SENSE引脚之间的检测电阻上的电压。该电平体现了负载电流水平。检测放大器具有100 mV (±3%)的预设控制环路阈值。这意味着当检测电阻上检测到100 mV的电压时，电流控制环路就会调节负载电
模拟电子视频教程3
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
小面积和大面积光电二极管的低噪声放大器
<p>
</p>
<div>
Photodiodes can be broken into two categories: largearea photodiodes with their attendant high capacitance(30pF to 3000pF) and smaller area photodiodes withrelatively low capaci
集电极开路和漏极开路
集电极开路和漏极开路的介绍
CMOS模拟开关工作原理
<P class=MsoNormal style="BACKGROUND: white; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan" align=left><FONT size=3>开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或
256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)
采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
成功实现超低光信号转换的七个步骤
在用于光检测的固态检波器中，光电二极管仍然是基本选择(图1)。光电二极管广泛用于光通信和医疗诊断。其他应用包括色彩测量、信息处理、条形码、相机曝光控制、电子束边缘检测、传真、激光准直、飞机着陆辅助和导弹制导。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R21611423Q.jpg" /><br />
1N5X系列二极管参数及代换
1N5X系列二极管参数及代换
三极管代换手册下载
<p>
<img alt="" border="0" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817293146338.jpg" /></p>
<p>
三极管代换手册下载</p>
<div class="right_content">
前言<br />
使用说明<br />
三极管对照表<br />
A<br />
B<br />
C<br
康沃制动单元技术特点
康沃制动单元技术特点概述，制动电阻的计算与选取和IGBT的保护
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120222105RbW.jpg" style="width: 404px; h
超快恢复二极管选型
电子发烧友网为大家提供了超快恢复二极管选型。
上下拉电阻小结
上下拉电阻的小结，希望对大家有用
基于Multisim11的饮水机制冷控制电路仿真设计
<span id="LbZY">文中结合制冷饮水机温控主要部件NTC热敏电阻的温度特性，利用Multisim11建立了该NTC的仿真模型，并根据模型参数设计了饮水机的自动制冷控制电路，最后对温控电路进行了基于水温变化的电路参数扫描分析，仿真运行的结果达到了设计预期要求。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-13062
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
<div>
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
整流二极管参数10A05--10A10
整流二极管参数10A05--10A10
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程