通用图
共 84 篇文章
通用图 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 84 篇文章，持续更新中。
时钟分相技术应用
<p>
摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br />
关键词: 时钟分相技术; 应用<br />
中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br />
时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br />
性能。尤其现代电子系统对性
mp4原理图
提供一份MP4的电路原理图，交流
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
增量式光电编码器信号处理电路方案
设计了一种集编码器信号接收、光电隔离、鉴相、频率电压转化和电压调整输出功能于一体的综合性电路，并对电路各组成部分作了较为详细的分析和阐述。实践证明，该电路通用性强、操作简单、性能可靠、实用性强。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202161F92S54.jpg" />
利用数字电位计AD5292构建30V低成本DAC
图1所示电路采用digiPOT+系列数字电位计AD5292、双通道运算放大器ADA4091-2和基准电压源ADR512，提供一种低成本、高电压、单极性DAC。该电路提供10位分辨率，输出电压范围为0 V至30 V，能够提供最高±20 mA的输出电流。AD5292可以通过SPI兼容型串行接口编程。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/
基于FPGA的MSK调制器设计与实现
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">介绍了MSK信号的优点，并分析了其实现原理，提出一种MSK高性能数字调制器的FPGA实现方案；采用自顶向下的设计思想，将系统分成串/并变换器、差分编码器、数控振荡器、移相器、乘法电路和加法电路等6大模块，重点论述了串/
模拟放大器电路图
须安装protel2004才能查看额
cadence操作常用快捷键总结
schematic常用快捷键 x：检查并存盘 s：存盘 [：缩小 ]：放大 F：整图居中显示 u：撤销上一次操作 Esc：清楚刚键入的命令 c：复制 m：移动
叫你设计一个多功能电子钟并仿真
这里面介绍了多种数字集成电路的用法，和设计电子钟的具体电路图
运算放大器的原理和应用
没事发个图。
射频遥控在家电遥控器中的应用电路图
射频遥控在家电遥控器中的应用电路图
精密运算放大器自动校零
运算放大器集成电路，与其它通用<BR>集成电路一样，向低电压供电方向发<BR>展，普遍使用3V供电，目的是减少功<BR>耗和延长电池寿命。这样一来，运算放<BR>大器集成电路需要有更高的元件精度和<BR>降低误差容限。运算放大器一般位于电<BR>路系统的前端，对于时间和温度稳定性<BR>的要求是可以理解的，同时要改进电路<BR>结构和修调技术。当前，运算放大器是<BR>在封装后用激光修调和斩波器稳
NE555应用电路图
555
液压传动系统设计与计算
<p>
液压系统设计的步骤大致如下：<br />
1.明确设计要求，进行工况分析。<br />
2.初定液压系统的主要参数。<br />
3.拟定液压系统原理图。<br />
4.计算和选择液压元件。<br />
5.估算液压系统性能。<br />
6.绘制工作图和编写技术文件。<br />
根据液压系统的具体内容，上述设计步骤可能会有所不同，下面对各步骤的具体内容进行介绍。</p
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
ADIS16334安装_机械设计指南和示例
<div>
ADIS16334是一款薄型、完全校准的MEMS惯性测量单元(IMU)。图1为该封装的顶视图，其中包括四个安装孔，配备嵌入式安装架，有助于控制附加硬件的整体高度。安装孔为M2 × 0.4 mm或2至56个机械螺丝提供了足够的间隙。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1212131A523
非均匀采样的频谱研究
非均匀采样的一个很大的优点就是它具有抗频率混叠的性能[ ]，首先从均匀采样讨论由采样而引起的频谱混叠现象，在均匀采样和非均匀采样的频谱图对比中讨论两种采样方式引起的不同的频谱混叠现象，从对比中分析非均匀采样方式的优势。从最简单的非均匀采样方法逐步深入到完全随机的非均匀采样方法，研究由于采样方法的改变对数字信号频谱的影响。最后可以看到非均匀采样的方法可以将混叠信号的频谱降低到完全不影响对真实信号的检
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
高共模抑制比仪用放大电路方案
<p>
本文针对传统仪用放大电路的特点，介绍了一种高共模抑制比仪用放大电路，引入共模负反馈，大大提高了通用仪表放大器的共模抑制能力。</p>
<p>
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-120202143629101.jpg" style="width: 325px; height: 283px" /></p>
世界最新晶体管代换手册
<P>世界最新晶体管代换手册</P>
<P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P>
<P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶