选通
共 33 篇文章
选通 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 33 篇文章，持续更新中。
非理想运放构建的低通滤波电路优化设计
<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响，提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法，实验结果表明了该方法的有效性。<br />
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2012TI电子设计大赛——微弱信号检测装置
微弱信号检测装置<br />
四川理工学院 刘鹏飞、梁天德、曾学明<br />
摘要：<br />
本设计以TI的Launch Pad为核心板，采用锁相放大技术设计并制作了一套微弱信号检测装置，用以检测在强噪声背景下已知频率微弱正弦波信号的幅度值，并在液晶屏上数字显示出所测信号相应的幅度值。实验结果显示其抗干扰能力强，测量精度高。<br />
关键词：强噪声；微弱信号；锁相放大
E54显示器整机线路分析
经整流桥整流出的直流电压 110V，由D906 整流，经R911，R912 后，再由C911 滤波，到UC3842 的⑦脚，当⑦脚，当⑦脚电压在16V-34V 之间时，UC3842 开始工作，此时⑧脚有了5V 的基准电压，⑥脚输出脉冲，使开关管Q901 导通，此时，变压器初级线圈（4-6）有电流产生，产生感应电动势，根据互感原理，初级线圈（1-2）也产生感应电压，经R913，D910 整流C911
基于AD603程控宽带放大器的设计
本设计是采用AD603可控增益放大器芯片设计的一款高增益，高宽带直流放大器，采用两级级联放大电路了，提高了放大增益，扩展了通频带宽，而且具有良好的抗噪声系数，采用AT89S52芯片控制数模转换(DAC0832芯片)进行程控放大控制，在0—20MHz频带内，放大倍数在0-40dB之间进行调节，增益起伏为1dB。系统具有键盘输入预置，增益可调和液晶显示，具有很强的实际应用能力。
CMOS模拟开关工作原理
<P class=MsoNormal style="BACKGROUND: white; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan" align=left><FONT size=3>开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或
256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)
采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
适合过程控制应用的完全可编程通用模拟前端
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本电路针对过程控制应用提供一款完全可编程的通用模拟前端(AFE)，支持2/3/4线RTD配置、带冷结补偿的热电偶输入、单极性和双极性输入电压、4 mA至20 mA输入，串行控制的8通道单刀单掷开关ADG1414用于配置选定的测量模式。
ads1240通讯程序
德州仪器24bit AD；ads1240 通讯程序
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
双频式定子接地保护的模拟滤波器设计与实现
双频式定子接地保护是目前在中小型发电机中得到广泛应用的一种发电机保护，三次谐波的变化情况是这种保护动作的依据之一。文中着重就能够从发电机机端和中性点侧电压中初步提取三次谐波的模拟滤波器的设计进行了讨论，通过分析比较各类滤波器的阻带衰减速度、通频带平坦度等特点以及生产实际装置的成本等多方面因素设计出了一款能够满足保护装置要求的模拟滤波器。从仿真及实验结果中可以看出，此款模拟滤波器具有良好的应用效果。
二极管导通开关稳压器引发的故障时间
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Most circuit designers are familiar with diode dynamiccharacteristics such as charge storage, voltage dependentcapacitance and reverse recovery time. Less commonlyacknowledged a
MOS开关管参数手册
ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, L