运维

共 51 篇文章
运维 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 51 篇文章,持续更新中。

电容性负载稳定性:RISO、高增益及 CF、噪声增益

运放

拉扎维模拟CMOS集成电路设计(前十章全部课件)

拉扎维的前十章课件,初学者看看

第5章 放大电路的频率响应

§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应

常用运放电路集锦

常用运放电路集锦

基于Gabor小波的人脸表情特征提取研究

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了使计算机能更好的识别人脸表情,对基于Gabor小波变换的人脸表情识别方法进行了研究。首先对包含表情区域的静态灰度图像进行预处理,包括对确定的人脸表情区域进行尺寸和灰度归一化,然后利用二维Gabor小波变换提取脸部表

非理想运放构建的低通滤波电路优化设计

<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响,提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法,实验结果表明了该方法的有效性。<br /> <img alt="" src="http://dl.

环路稳定性基础

运放

运放误用(Bruce Carter)

1.运放误用(Bruce Carter)

高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

<span id="LbZY">基于CSMC的0.5 &mu;mCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63

运算放大器中的虚断虚短应用

<P>  虚短和虚断的概念</P> <P>  由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。</P> <P>  “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一

基于相关分析的飞机目标识别方法

<span id="LbZY">提出了一种基于相关分析的飞机目标识别方法。该方法利用飞机图像低频和高频部分合成滤波器模板,能达到很高识别率与很低的等错率。该研究旨在提高飞机识别的准确率和降低出错率,采用一种基于相关分析的飞机目标识别方法。该方法通过对采集的飞机图像做去除背景、降噪、图像增强、二值化和归一化处理,将飞机图像低频和高频部分合成滤波器模板,通过特征比对达到识别飞机的目的。利用Matlab

运算放大电路全教程

详细讲解了运算放大的原理内部电路,与运放的所有应用电路。

运放电路分析

运放

主成分分析的图像压缩与重构

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">针对图像占用空间大,特征表示时维数较高等的缺点,系统介绍了主成分分析(PCA)的基本原理。提出了利用PCA进行图像数据压缩与重建的基本模型。实验结果表明,利用PCA能有效的减少数据的维数,进行特征提取,实现图像压缩,同

意法半导体运放稳定性

<p> &nbsp;</p> <div> Who has never experienced oscillations issues when using an operational amplifier? Opampsare often used in a simple voltage follower configuration. However, this is not the best

经典运放电路分析(经典)_免费

经典运放电路分析(经典)_免费

电容性负载稳定性输出引脚补偿

运放

集成运放应用电路设计

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SiCOI MESFET的特性分析

使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120222105RbW.jpg" style="width: 404px; h

一种弱耦合非对称渐变线定向耦合器的快速设计

<span id="LbZY">给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法,以线性渐变为基础,通过仿真优化获取最优渐变,摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性,在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz,耦合度为-25dB的定向耦合器,利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。</span><br /> <br /> <br />