覆盖驱动验证

共 91 篇文章
覆盖驱动验证 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 91 篇文章,持续更新中。

ADV7511 HDCP 1.1使能_禁用选项

<div> ADV7511 HDMI&reg;发送器支持HDCP 1.1特性;然而,业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性,特别是增强链路验证(Pj校验),存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释,ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中,如果接收器在

用于图像分类的有偏特征采样方法

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了模拟图像分类任务中待分类目标的可能分布,使特征采样点尽可能集中于目标区域,基于Yang的有偏采样算法提出了一种改进的有偏采样算法。原算法将目标基于区域特征出现的概率和显著图结合起来,计算用于特征采样的概率分布图,使

基于新型CCCII的电流模式积分电路

介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性,以及其基本组成共源共栅电流镜,并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上,设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路,并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/i

通信系统中数字上变频技术的研究与设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">为了将通信系统中数字基带信号调制到中频信号上,采用数字上变频技术,通过对数字I、Q两路基带信号进行FIR成形滤波、半带插值滤波、数字混频处理得到正交调制

一种弱耦合非对称渐变线定向耦合器的快速设计

<span id="LbZY">给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法,以线性渐变为基础,通过仿真优化获取最优渐变,摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性,在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz,耦合度为-25dB的定向耦合器,利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。</span><br /> <br /> <br />

基于映射函数收缩算法的图像去噪方法

文中讨论了图像的高斯加性噪声模型和图像的稀疏性表示,提出了利用映射函数来描述图像的去噪过程,通过求解映射函数和利用映射函数对加噪图像的小波变换子带系数进行变换,达到了降低图像噪声并使加噪图像逼近原始图像的目的。经过实验比较,验证了本文算法的可行性和鲁棒性。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-13031216311DA.jp

16位10 MSPS ADC AD7626的单端转差分高速驱动电路

图1所示电路可将高频单端输入信号转换为平衡差分信号,用于驱动16位10 MSPS PulSAR&reg; ADC AD7626。该电路采用低功耗差分放大器ADA4932-1来驱动ADC,最大限度提升AD7626的高频输入信号音性能。此器件组合的真正优势在于低功耗、高性能<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130201154

高速ADC模拟输入接口考虑

<div> 采用高输入频率、高速模数转换器(ADC)的系统设计是一项具挑战性的任务。ADC输入接口设计有6个主要条件:输入阻抗、输入驱动、带宽、通带平坦度、噪声和失真。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R2161410F1.jpg" style="width: 365px; height: 308px;

数字预失真(DPD)算法研发工具和验证方案

在无线通信系统全面进入3G并开始迈向 4G的过程中,使用数字预失真技术(Digital Pre-distortion,以下简称DPD)对发射机的功放进行线性化是一门关键技术。功率放大器是通信系统中影响系统性能和覆盖范围的关键部件,非线性是功放的固有特性。非线性会引起频谱增长(spectral re-growth),从而造成邻道干扰,使带外杂散达不到协议标准规定的要求。非线性也会造成带内失真,带来系

流水线ADC的行为级仿真

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">行为级仿真是提高流水线(Pipeline)ADC设计效率的重要手段。建立精确的行为级模型是进行行为级仿真的关键。本文采用基于电路宏模型技术的运算放大器模型,构建了流水线ADC的行为级模型并进行仿真。为验证提出模型的精度

555时基集成电路简介

<p> 555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555,用CMOS 工艺制作的称为7555,除单定时器外,还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在4.5V~16V 工作,7555 可在3~18V 工作,输出驱动电流约为200mA,因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p> <p> <img alt=

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/

理解和应用数字电位器

描述了数字电位器工作原理、特点、分类及广泛应用,阐述了与机械电位器相比,数字电位器的优点,同时也描述了数字电位器AD5272内部电路结构,在此基础上进一步提出了对数字电位器AD5272应用电路系统的设计。结果表明,在低成本的前提下,将数字电位器的性能及应用充分展示,同时验证了数字电位器更为经济实用。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/i

线性及逻辑器件选择指南

<P>绪论 3<BR>线性及逻辑器件新产品优先性<BR>计算领域4<BR>PCI Express&reg;多路复用技术<BR>USB、局域网、视频多路复用技术<BR>I2C I/O扩展及LED驱动器<BR>RS-232串行接口<BR>静电放电(ESD)保护<BR>服务器/存储10<BR>GTL/GTL+至LVTTL转换<BR>PCI Express信号开关多路复用<BR>I2C及SMBus接口<B

BUCK电路的环路计算补偿仿真

本示例从简单的BUCK电路入手,详细说明了如何进行电源环路的计算和补偿,并通过saber仿真验证环路补偿的合理性。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120424150643210.jpg" />

IBIS模型第3部分-利用IBIS模型研究信号完整性问题

<div> 本文是关于在印刷电路板 (PCB) 开发阶段使用数字输入/输出缓冲信息规范(IBIS) 模拟模型的系列文章之第 3 部分(共三部分)。&ldquo;第 1 部分&rdquo;讨论了 IBIS仿真模型的基本组成,以及它们在 SPICE 环境中产生的过程1。&ldquo;第 2 部分&rdquo;讨论了 IBIS 模型有效性验证。2 在设计阶段,我们会碰到许多信号完整性问题,而 IBIS

定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别

555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555,用 CMOS 工艺制作的称为 7555,除单定时器外,还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,输出驱动电流约为 200mA,因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低,性能可靠

FIR数字滤波器的MATLAB仿真和DSP的实现

<span id="LbZY">分析了数字滤波器的原理,介绍了采用窗体函数法完成FIR数字滤波器,包括MATLAB仿真和DSP的实现方法。通过MATLAB仿真验证了所设计的滤波器具有良好的滤波功能,以TMS320F2812DSP为核心器件,用DSP控制器来实现FFT算法完成多点、实时控制。实验结果表明,该设计性能稳定、效果良好、实用性强。</span><br /> <br />

功率MOSFET的开通和关断原理

开通过程[ t0 ~ t4 ]:<br /> -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止状态,t0 时,MOSFET 被驱动开通;<br /> -- [t0-t1]区间,MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,在t1 时刻,到达维持电压Vth,MOSFET 开始导电;<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177

共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较

<div> 给出了两种应用于两级CMOS 运算放大器的密勒补偿技术的比较,用共源共栅密勒补偿技术设计出的CMOS 运放与直接密勒补偿相比,具有更大的单位增益带宽、更大的摆率和更小的信号建立时间等优点,还可以在达到相同补偿效果的情况下极大地减小版图尺寸. 通过电路级小信号等效电路的分析和仿真,对两种补偿技术进行比较,结果验证了共源共栅密勒补偿技术相对于直接密勒补偿技术的优越性.<br /> <i