脉冲电场
共 26 篇文章
脉冲电场 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 26 篇文章，持续更新中。
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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高等学校试用教材 脉冲与数字电路 下册
高等学校试用教材 脉冲与数字电路 下册，不看后悔啊。
定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低，性能可靠
脉冲波形的产生和整形
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脉冲波形的产生和整形:介绍矩形脉冲波形的产生和整形电路。<br />
在脉冲整形电路中。介绍了最常用的两类整形电路——施密特触发器和单稳态触发器电路。在本章的最后，讨论了广为应用的555定时器和用它构成施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器的方法。<br />
7.1单稳态触发器<br />
单稳态触发器的工作特性具有如下的显著特点；<br />
第一，它
强电磁脉冲激励对良导体的透射
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计算了理想脉冲平面电磁波的穿透幅度衰减因子，并分析了理想脉冲电磁波和简谐电磁波的幅度衰减因子，根据幅度衰减因子相同的原则，给出了理想脉冲电磁波的简谐电磁波等效频率，为电磁屏蔽防护技术提供设计理论参考。</p>
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