电磁器件
共 109 篇文章
电磁器件 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 109 篇文章，持续更新中。
电磁导波激励脉冲群最佳重复频率确定
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">电磁导波检测技术因其非接触耦合的特性已被广泛应用于各种金属管道无损检测领域中，但导波的激励脉冲群重复频率的确定长久以来却
波形及序列信号发生器设计
设计由555、移位寄存器、D/A转换器、PLD等器件构成的多路序列信号输出和阶梯波输出的发生器电路，重点学习555、D/A转换器及可编程逻辑器件的原理及应用方法。用Proteus软件仿真；实验测试技术指标及功能、绘制信号波形。
BJT与MOSFET的开关应用
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本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p>
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前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试
MEMS传感器的静止带宽测试
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对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言，优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标，往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时，一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性，需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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一种新型高速电磁阀驱动电路
一种新型高速电磁阀驱动电路
电子元器件的封装尺寸
元器件封装
基于FPGA和虚拟仪器的DDS信号发生器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">将虚拟仪器技术同FPGA技术结合，设计了一个频率可控的DDS任意波形信号发生器。在阐述直接数字频率合成技术的工作原理、电路构成的基础上，分别介绍了上位机
数字容性隔离器的磁场抗扰度
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数字容性隔离器的应用环境通常包括一些大型电动马达、发电机以及其他产生强电磁场的设备。暴露在这些磁场中，可引起潜在的数据损坏问题，因为电势（EMF，即这些磁场形成的电压）会干扰数据信号传输。由于存在这种潜在威胁，因此许多数字隔离器用户都要求隔离器具备高磁场抗扰度 (MFI)。许多数字隔离器技术都声称具有高 MFI，但容性隔离器却因其设计和内部结构拥有几乎无穷大的MFI。本文将对其设计进
ADV7511 HDCP 1.1使能_禁用选项
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ADV7511 HDMI®发送器支持HDCP 1.1特性；然而，业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性，特别是增强链路验证(Pj校验)，存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释，ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中，如果接收器在
电子设备电磁兼容仿真模型研究
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针时引起电磁干技的主要因素一缝隙．本文提出了缝隙转移阻抗等效建模方法，并在文中详细论述，为快速、正确预测电于设备中电磁兼容的性能提供方法和理论依据。</p>
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揭开∑—△ADC的神秘面纱
越柬越多的应用 例如过程控制、称重等 都需要高分辨率、高集成度和低价格的ADC。 新型Σ ．△转换技术恰好可以满足这些要求 然而， 很多设计者对于这种转换技术并不 分了解， 因而更愿意选用传统的逐次比较ADC Σ．A转换器中的模拟部分非常简单(类似j 个Ibit ADC)， 而数字部分要复杂得多， 按照功能町划分为数字滤波和抽取单元 由于更接近r 个数字器件，Σ
基于USB的高清彩色CCD图像采集系统
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">提出一种基于USB的彩色CCD高清图像采集系统设计方案。图像数据的来源采用的是SONY公司的 ICX205AK芯片，结合USB2.0接口，复杂可编程逻辑器件CPLD设计了一个高速的彩色CCD图像采集系统。文中详细阐述了
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120222105RbW.jpg" style="width: 404px; h
多头动臂式贴片机贴装时间分阶段启发式优化算法
摘要:贴片机贴装时间是影响表面组装生产线效率的重要因素，文中提出了一种改进式分阶段启发式算法解决具有分飞行换嘴结构的多贴装头动臂式贴片机贴装时间优化问题;首先，根据飞行换嘴的特点，提出了适用于飞行换嘴的喂料器组分配方案;其次，依据这一分配结果，通过改进式启发式算法实现了喂料器组在喂料器机构上的分配;最后，结合近邻搜索法解决了元器件的贴装顺序优化问题;仿真结果证明，文中采用的改进分阶段启发式算法比传
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数字电子逻辑器件
很全的电子元器件基础知识讲义
很全的电子元器件基础知识讲义
一种弱耦合非对称渐变线定向耦合器的快速设计
<span id="LbZY">给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法，以线性渐变为基础，通过仿真优化获取最优渐变，摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性，在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz，耦合度为-25dB的定向耦合器，利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。</span><br />
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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
16位10 MSPS ADC AD7626的单端转差分高速驱动电路
图1所示电路可将高频单端输入信号转换为平衡差分信号，用于驱动16位10 MSPS PulSAR® ADC AD7626。该电路采用低功耗差分放大器ADA4932-1来驱动ADC，最大限度提升AD7626的高频输入信号音性能。此器件组合的真正优势在于低功耗、高性能<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130201154