电源结构
共 119 篇文章
电源结构 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 119 篇文章，持续更新中。
锁相环技术及CD4046的结构和应用
叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。<br />
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600V_CoolMOS优化设计
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CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构，首先CoolMOS的结构人手，结合电荷平衡
数字容性隔离器的磁场抗扰度
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数字容性隔离器的应用环境通常包括一些大型电动马达、发电机以及其他产生强电磁场的设备。暴露在这些磁场中，可引起潜在的数据损坏问题，因为电势（EMF，即这些磁场形成的电压）会干扰数据信号传输。由于存在这种潜在威胁，因此许多数字隔离器用户都要求隔离器具备高磁场抗扰度 (MFI)。许多数字隔离器技术都声称具有高 MFI，但容性隔离器却因其设计和内部结构拥有几乎无穷大的MFI。本文将对其设计进
单电源缓冲器电路的实际设计
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基于USB的高清彩色CCD图像采集系统
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">提出一种基于USB的彩色CCD高清图像采集系统设计方案。图像数据的来源采用的是SONY公司的 ICX205AK芯片，结合USB2.0接口，复杂可编程逻辑器件CPLD设计了一个高速的彩色CCD图像采集系统。文中详细阐述了
[数字信号处理及应用].王华奎.文字版
内容简介 本书以数字信号处理基础内容为主，同时也介绍了有关数字信号处理实现与应用。书中 以主要篇幅讨论了离散时间信号与系统的基本概念，离散傅里叶变换及其快速算法，数字滤 波器的结构与各种设计方法。这是数字信号处理中的经典内容，也是进一步学习和掌握更多 信号处理理论的基础。为便于数字信号处理系统的设计与开发，书中介绍了数字信号处理芯 片的原理及其开发工具以及应用实例。 本书概念清晰，说明详细，深入浅
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
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200mV~10V/0-24V电平单输入单输出模拟信号隔离变送器
转速传感器信号隔离变送器,正弦波整形 主要特性: >> 转速传感器信号直接输入，整形调理方波信号 >> 200mV峰值微弱信号的放大与整形 >> 正弦波、锯齿波信号输入，方波信号输出 >> 不改变原波形频率，响应速度快 >> 电源、信号：输入/输出 3000VDC三隔离 >> 供电电源：5V、12V、15V或24V直流单电源供
机翼极限环振荡仿真与计算
<span id="LbZY">机翼极限环振荡（LCO）是典型的非线性气动弹性问题，严重的会造成机翼的结构破坏。为了精确捕捉极限环振荡初始临界点，准确预测极限环的幅值，为机翼的设计提供准确的数据参考，本文综合考虑了气动与结构非线性的影响，提出了一种松耦合气动弹性仿真方法。在子迭代过程中分别采用LUSGS双时间推进和多步推进法交替求解气动和结构动力学方程；一种高效的插值技术应用于耦合界面数据的映射与
多头动臂式贴片机贴装时间分阶段启发式优化算法
摘要:贴片机贴装时间是影响表面组装生产线效率的重要因素，文中提出了一种改进式分阶段启发式算法解决具有分飞行换嘴结构的多贴装头动臂式贴片机贴装时间优化问题;首先，根据飞行换嘴的特点，提出了适用于飞行换嘴的喂料器组分配方案;其次，依据这一分配结果，通过改进式启发式算法实现了喂料器组在喂料器机构上的分配;最后，结合近邻搜索法解决了元器件的贴装顺序优化问题;仿真结果证明，文中采用的改进分阶段启发式算法比传
阶跃阻抗滤波器及其倍频应用
<span id="LbZY">阶跃阻抗谐振结构（SIR）是一种新型微带线结构，它具有小型化，尺寸易调整，寄生谐振频率可调等优势。本文利用一种半波长阶跃阻抗谐振结构设计了两个不同尺寸发卡形滤波器，获得同样优秀的性能指标。而后利用此类滤波器完成了一个倍频电路的设计并且达到预期要求。<br />
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一种弱耦合非对称渐变线定向耦合器的快速设计
<span id="LbZY">给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法，以线性渐变为基础，通过仿真优化获取最优渐变，摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性，在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz，耦合度为-25dB的定向耦合器，利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。</span><br />
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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
扇形微带短截线型滤波器的设计_魏新泉
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采用扇形微带短截线作为滤波器的基本单元,设计出具有宽频特性的滤波器,在微波平面电路的设计中有着良好的应用前景。通过设计扇形微带短截线单元的物理尺寸,能够实现特定频段的高选择性滤波器。用ADS 和HFSS 对这种新型滤波器与传统直形滤波器进行了特性对比,在特性方面,新型滤波器比传统滤波器具有更陡峭的过渡带和更宽的频带等优点;在结构方面,新型滤波器电路相对传统滤波器可以减少基板面积。
绝对输出iMEMS陀螺仪与比率ADC的配合使用
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iMEMS陀螺仪常常与许多集成在微控制器中的低成本比率ADC配合使用。本应用笔记将简要介绍如何实现陀螺仪的绝对(不随电源电压变化而变化)输出与比率ADC的连接。<br />
PWM型功率放大器长线传输波形整型
为解决PWM功率放大器输出长线传输引发的波形畸变，可能伤及力矩电动机的问题，对实际系统结构进行了理论分析，找出了可能引发波形畸变的原因，并给出了3种解决方法。实际试验结果证实所给方法的有效性。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130409105043502.jpg" /><br />
CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
第1章 常用半导体器件
常用半导体的组成与结构
555时基集成电路简介
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p>
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