电流模
共 137 篇文章
电流模 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 137 篇文章，持续更新中。
华为模电讲义（下）
模拟电子技术
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
模拟电子电路学习基础
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如何提高模幂运算速度应用笔记
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Abstract: This application note describes how to improve the speed of modular exponentiation by more than 50% whenusing MAXQ® microcontrollers that have a modular arithmetic accelerator (MA
第12讲 互补输出级
模电
如何设计升压转换器MAX17597峰值电流模式控制器
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Abstract: This application note describes how to design boost converters using the MAX17597 peakcurrent-mode controller. Boost converters can be operated in discontinuous conduction mode (DCM)
电压反馈型运算放大器的增益和带宽
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本教程旨在考察标定运算放大器的增益和带宽的常用方法。需要指出的是，本讨论适用于电压反馈(VFB)型运算放大器——电流反馈(CFB)型运算放大器将在以后的教程(MT-034)中讨论。
基于新型CCCII电流模式二阶带通滤波器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对传统第二代电流传输器（CCII）电压跟随不理想的问题，提出了新型第二代电流传输器（CCCII）并通过采用新型第二代电流传输器（CCCII）构成二阶电
第22讲 有源滤波电路
模电
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
虚拟实现技术在典型差动放大电路特性分析中的应用
介绍了差动放大电路演变历程，理论上分析了典型差动放大的工作原理以及特性参数的计算公式：应用虚拟实现技术一Pmteus软件进行了静态特性、差模输入信号、共模输入信号的实验研究，并对实验现象进行了分析。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032G543209B.jpg" /><br />
LM393中文资料
<span style="color: rgb(51, 51, 51); font-family: Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif, 宋体; font-size: 14px; line-height: 25px; text-align: left; background-color: rgb(247, 253, 255); ">LM393是双电压比较器集
仪表放大器——可避免常见的设计陷阱
主要说的是应该为仪表放大器提供一个电流通路
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
高共模抑制比仪用放大电路方案
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本文针对传统仪用放大电路的特点，介绍了一种高共模抑制比仪用放大电路，引入共模负反馈，大大提高了通用仪表放大器的共模抑制能力。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-120202143629101.jpg" style="width: 325px; height: 283px" /></p>
电路分析基础pdf
<P>电路分析基础电路分析基础Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒体教学课件多媒体教学课件北京理工大学北京理工大学Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology</P>
<P>目录<BR>•第一章集总电路中电压