电容参数
共 123 篇文章
电容参数 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 123 篇文章，持续更新中。
电容应用详解
电容在电路中的应用
智能仪表中调节参数的数字化方法及其应用
本文主要介绍对智能仪表中调节参数的一种新方法。米取了通用的徽调 电位器的硬件电路和经过数字化处理的软件方法, 使参数的调节及修正既方便又能 长期保存。文中给出了有关的数学推导、硬件电路及软件程序。
整流二极管参数（1N4001-1N4007）
整流二极管参数（1N4001-1N4007）
LC滤波器参数设定
好用的小工具，便于计算谐振频率、L值、C值。
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
SM321中速贴片机参数
SM321中速贴片机参数
电容三点式正弦波振荡电路 multisim 仿真
电容三点式正弦波振荡电路 multisim 仿真
小型化电容加载腔体滤波器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用电容加载传输线缩短理论，重新设计腔体滤波器的内部结构，利用T型梳状结构实现加载电容，减小腔体尺寸。仿真设计并实际加工出一个中心频率为2.4GHz的带通
基于multisim波形产生电路设计
基于multisim波形产生电路设计 毕业设计 制作电路及波形显示详细记录 包含参数计算过程
放大器及数据转换器选择指南
德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供<BR>了宽范围的运算放大器产品，其类型包括<BR>了高精度、微功耗、低电压、高电压、高<BR>速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低<BR>功耗及低电压运算放大器产品选集，其设<BR>计特性可满足宽范围的多种应用。为使您<BR>的选择流程更为轻松，我们提供了一个交<BR>互式的在线运算放大器参数搜索引擎——<BR>amplifier.ti.com/sea
开关稳压器电路的效率特性分析
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开关稳压器使用输出级，重复切换“开”和“关”状态，与能量存贮部件（电容器和感应器）一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231152A1N8.jpg" /></p>
2SJ系列场效应管参数大全
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2SJ系列场效应管参数大全:</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-1201091613253I.jpg" style="width: 482px; height: 156px" /></p>
电子学名词介绍
电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。<BR>2、 电阻的温
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
一种改进的动态反馈负载均衡算法
<span id="LbZY"> 在集群系统中，负载均衡算法是影响系统性能的关键因素之一。为了进一步提高集群系统的性能，有必要对负载均衡算法进行优化。通过对最小连接算法和DFB（Dynamic Feed-Back）算法的详细分析，提出了一种改进的动态反馈负载均衡算法。该算法通过收集每台服务器的实时性能参数，动态地计算出各服务节点的分配概率，并由此决定用户请求分配给哪一个服务节点。通过对上
电子工程师必备基础知识手册（七）常用元器件的识别
<P>一、电阻</P>
<P>电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。</P>
寄生电容在升压变压器中的设计应用
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One of the most critical components in a step-up design like Figure 1 is the transformer. Transformers have parasitic components that can cause them to deviate from their ideal characteristics, a
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指