热电效应
共 33 篇文章
热电效应 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 33 篇文章，持续更新中。
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
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场效应晶体管放大电路的动态分析
<P> 场效应晶体管放大电路的动态分析</P>
<P> 共源组态基本放大电路的动态分析</P>
<P> 共漏组态基本放大电路的动态分析</P>
5000种场效应管速查
5000种场效应管速查
放大电路的频率效应
放大电路的频率效应
适合过程控制应用的完全可编程通用模拟前端
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本电路针对过程控制应用提供一款完全可编程的通用模拟前端(AFE)，支持2/3/4线RTD配置、带冷结补偿的热电偶输入、单极性和双极性输入电压、4 mA至20 mA输入，串行控制的8通道单刀单掷开关ADG1414用于配置选定的测量模式。
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
汽车防撞雷达系统功率放大器仿真设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">设计了用于汽车防撞雷达的功率放大器，为了消除在K波段的寄生效应的影响，设计了直流偏置、输入输出匹配网络、耦合隔直和电源滤波的微带网络。通过ADS仿真，得到
热电偶温度与输入信号对照表
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热电偶温度与输入信号对照表包括热电偶温度与绝对毫伏对照与热电阻温度与电阻值对照。</p>
基于PN结的热电偶补偿电路设计
分析了几种常用的热电偶冷端补偿方法的优缺点，根据1N4148在恒流条件下其管压降与温度的线性关系设计了一种基于PN结的热电偶冷端补偿电路。该补偿方法具有成本低、精度高、通用性强等优点，该电路可以对不同型号的热电偶进行冷端补偿，同时具有断偶检测功能。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032Q51Q6163.jp
场效应管四路模块使用说明
一、 尺寸：长63mmX宽48mmX高16mm 二、 主要芯片：FR1205(NMOS) 三、 输入控制电压：直流5V 输出控制电压12V~55V，电流为44A 四、串口下载程序 五、 特点： 1、输入控制电源与被控电源隔离 2、具有四路输出信号指示。 3、具有四路光耦隔离 4、四路输入信号低电平有效时有效 5、输入使用排针可方便与单片机设备相连 6、输出使用接线端子可方便接被控设备供电电源 7、
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12