漏极开路
共 54 篇文章
漏极开路 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 54 篇文章，持续更新中。
单极超微能耗智能照明控制墙壁开关
发明人简介：发明人米有泉是复合型人才，在电子领域很有造就，给国内外众多企业开发设计了不少创新产品解决了不少技术难题。<BR>单极开关是串联在一根火线与负载一端之间或者串联在一根零线与负载一端之间的控制开关,比如智能照明控制墙壁开关和机械墙照明控制壁开关就是单极开关。要解决的技术壁垒是串联供电难题，开发难度相当大。<BR>双极开关是并联在零火线上的控制开关,比如电视、空调、风扇、装在灯具里的吸顶遥控
模拟电子基础器件动画模拟视频教程1
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
二极管抽运调Q固体激光器的设计方法研究
通过对速率方程的数值求解,得到二极管泵浦调<em>Q</em>固体激光器的性能参数,即由激光器的结构参数和泵浦参数,求解出激光器的输出参数。然后将其求解得到的输出与设计要求的激光器输出进行比较,由此对输入的结构参数和泵浦参数进行反复调整,直至最终输出参数满足设计要求的误差.<br />
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压控振荡电路的设计
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能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111
肖特基二极管SR520-SR5100
肖特基二极管SR520-SR5100
运算放大器中的虚断虚短应用
<P> 虚短和虚断的概念</P>
<P> 由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。</P>
<P> “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一
整流二极管参数6A01--6A07
整流二极管参数6A01--6A07
检波二极管
检波二极管
使用负输入电压的单电源全差动放大器驱动ADC
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单端双极输入信号的推荐电路如图 1 所示。Vs+ 是放大器的电源；负电源输入接地。VIN 为输入信号源，其表现为一个在接地电位（±0 V）附近摆动的接地参考信号，从而形成一个双极信号。RG 和 RF 为放大器的主增益设置电阻。VOUT+和 VOUT- 为 ADC 的差动输出信号。它们的相位差为 180o，并且电平转换为VOCM。<br />
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二极管钳位电路
二极管，二极管钳位电路。
三极管及基本放大电路
三极管及基本放大电路
场效应晶体管放大电路的动态分析
<P> 场效应晶体管放大电路的动态分析</P>
<P> 共源组态基本放大电路的动态分析</P>
<P> 共漏组态基本放大电路的动态分析</P>
模拟电子视频教程3
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
小面积和大面积光电二极管的低噪声放大器
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Photodiodes can be broken into two categories: largearea photodiodes with their attendant high capacitance(30pF to 3000pF) and smaller area photodiodes withrelatively low capaci
集电极开路和漏极开路
集电极开路和漏极开路的介绍
CMOS模拟开关工作原理
<P class=MsoNormal style="BACKGROUND: white; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan" align=left><FONT size=3>开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或
成功实现超低光信号转换的七个步骤
在用于光检测的固态检波器中，光电二极管仍然是基本选择(图1)。光电二极管广泛用于光通信和医疗诊断。其他应用包括色彩测量、信息处理、条形码、相机曝光控制、电子束边缘检测、传真、激光准直、飞机着陆辅助和导弹制导。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R21611423Q.jpg" /><br />
1N5X系列二极管参数及代换
1N5X系列二极管参数及代换
三极管代换手册下载
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<img alt="" border="0" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817293146338.jpg" /></p>
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三极管代换手册下载</p>
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前言<br />
使用说明<br />
三极管对照表<br />
A<br />
B<br />
C<br
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120222105RbW.jpg" style="width: 404px; h