晶体硅
共 38 篇文章
晶体硅 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 38 篇文章，持续更新中。
5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计
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采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5～12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动<0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p>
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基于ATF54143平衡式低噪声放大器的设计
基于低噪声放大器（LNA）的噪声系数和驻波比之间的矛盾，本文采用安捷伦公司的ATF54143晶体管计了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪声放大器。该设计分为两部分：3 dB 90°相移定向耦合器和并联的低噪声放大器。本文中首先介绍LNA相关理论，然后通过安捷伦公司的ADS仿真软件进行电路仿真，仿真结果满足设计要求，达到了低噪声系数和良好地驻波比要求。此文也为后面电路的设计和调试提供
10.7 MHz中等带宽晶体滤波器的研制
文中使用了一种较为简单但非常实用的设计方法，采用四节八晶体差接桥型电路，设计和研制出了一种小型化低损耗中等带宽的石英晶体滤波器。该产品的中心频率为10.7 MHz，通带带宽属中等，阻带抑制要求较高，插入损耗较小，矩形系数小，晶体滤波器外形尺寸偏小。解决的关键技术问题是：晶体滤波器电路的设计，滤波器晶体谐振器的设计，滤波器的插损IL≦3 dB、3 dB带宽Bw3dB≥±19 kH
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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场效应晶体管放大电路的动态分析
<P> 场效应晶体管放大电路的动态分析</P>
<P> 共源组态基本放大电路的动态分析</P>
<P> 共漏组态基本放大电路的动态分析</P>
256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)
采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
晶体管电路设计(上)
晶体管电路设计(上).pdf
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
电子学实验
<P>课程目标：培养学生设计与实作电子电路的基本能力。</P>
<P>课程内容：电子仪表的认识与使用<BR> 电晶体电路<BR> &nb
CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
针对高速应用的电流回授运算放大器
讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器<BR>电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势，并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。<BR>电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限，随着讯号振幅的增加，而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真，所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围
第04讲 晶体三极管
模电
小信号高频晶体管放大器
小信号高频晶体管放大器
晶体振荡器设计,以满足您的应用
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Abstract: Quartz crystals are mechanical resonators with piezoelectric properties. The piezoelectricproperties (electric potential across the crystal is proportional to mechanical deformation)
晶体管电路设计上
晶体管电路设计
MEMS器件气密封装工艺规范
MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.
晶体管性能讲解
晶体管的结构及性能