映射关系
共 40 篇文章
映射关系 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 40 篇文章，持续更新中。
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
大学物理实验RC电路时间常数的Multisim仿真测试
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的，采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发，分析了uC与时间常数之间的关系，给出了几种Multis
电路分析基础pdf
<P>电路分析基础电路分析基础Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒体教学课件多媒体教学课件北京理工大学北京理工大学Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology</P>
<P>目录<BR>•第一章集总电路中电压
集成运算放大器的应用
<BR>实验八 集成运算放大器<BR>一、实验目的<BR>1．学习集成运算放大器的使用方法。<BR>2．掌握集成运算放大器的几种基本运算方法。<BR>二、预习内容及要求<BR>集成运算放大器是具有高开环放大倍数的多级直接耦合放大电路。在它外部接上负反馈支路和一定的外围元件便可组成不同运算形式的电路。本实验只对反相比例、同相比例、反相加法和积分运算进行应用研究。<BR>1．图1是反相比例运算原理图。
一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计，实
L7806及相关系列
L7806的资料及78系列的相关资料和典型电路，很好，很强大哦
ADC中精确度与分辨率认识
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ADC制造商在数据手册中定义ADC性能的方式令人困惑，并且可能会在应用开发中导致错误的推断。最大的困惑也许就是“分辨率”和“精确度”了——即Resolution和Accuracy，这是两个不同的参数，却经常被混用，但事实上，分辨率并不能代表精确度，反之亦然。本文提出并解释了ADC&
电感和磁珠的区别及应用场合和作用
<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT face=宋体>磁珠由氧磁体组成，电感由磁心和线圈组成，磁珠把交流信号转化为热能，电感把交流存储起来，缓慢的释放出去。<p></p></FONT></P>
<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT fa
西门子S7-200 CPU PID控制图解
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PID控制器由比例单元(P)、积分单元(I)和微分单元(D)组成。其输入e (t)与输出u (t)的关系为 u(t)=kp[e(t)+1/TI∫e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中积分的上下限分别是0和t</p>
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因此它的传递函数为：G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s]</p>
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其中kp为比例系数; TI为积分时间常数;
运算放大器中的虚断虚短应用
<P> 虚短和虚断的概念</P>
<P> 由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。</P>
<P> “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一
ADV7511 HDCP 1.1使能_禁用选项
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ADV7511 HDMI®发送器支持HDCP 1.1特性；然而，业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性，特别是增强链路验证(Pj校验)，存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释，ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中，如果接收器在
基于NSCT域各向异性双变量萎缩图像去噪
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">提出了一种用各向异性双变量拉普拉斯函数模型去模拟NSCT域的系数的图像去噪算法，这种各向异性双边拉普拉斯模型不仅考虑了NSCT系数相邻尺度间的父子关系，
机翼极限环振荡仿真与计算
<span id="LbZY">机翼极限环振荡（LCO）是典型的非线性气动弹性问题，严重的会造成机翼的结构破坏。为了精确捕捉极限环振荡初始临界点，准确预测极限环的幅值，为机翼的设计提供准确的数据参考，本文综合考虑了气动与结构非线性的影响，提出了一种松耦合气动弹性仿真方法。在子迭代过程中分别采用LUSGS双时间推进和多步推进法交替求解气动和结构动力学方程；一种高效的插值技术应用于耦合界面数据的映射与
基于映射函数收缩算法的图像去噪方法
文中讨论了图像的高斯加性噪声模型和图像的稀疏性表示，提出了利用映射函数来描述图像的去噪过程，通过求解映射函数和利用映射函数对加噪图像的小波变换子带系数进行变换，达到了降低图像噪声并使加噪图像逼近原始图像的目的。经过实验比较，验证了本文算法的可行性和鲁棒性。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-13031216311DA.jp
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
放大器类型学习笔记
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区分放大器的其中一种方式是通过其输出级的类型。这种分类由输出器件接通的输出周期百分比决定。基本考量是失真与功率的关系。
基于PN结的热电偶补偿电路设计
分析了几种常用的热电偶冷端补偿方法的优缺点，根据1N4148在恒流条件下其管压降与温度的线性关系设计了一种基于PN结的热电偶冷端补偿电路。该补偿方法具有成本低、精度高、通用性强等优点，该电路可以对不同型号的热电偶进行冷端补偿，同时具有断偶检测功能。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032Q51Q6163.jp
电子设计大赛：波形合成与分解（包含所有电路图讲解、程序代码）（853594759）
全国大学生电子设计（课题：波形的合成与分解） 1 任务 设计制作一个具有产生多个不同频率的正弦信号，并将这些信号再合成为近似方波和三角波功能的电路。系统示意图如图1所示： 2要求 2.1 方波振荡器的信号经分频与滤波处理，同时产生频率为1kHz和3kHz与5kHz的正弦波信号，这三种信号应具有确定的相位关系；产生的信号波形无明显失真；幅度峰峰值分别为6V与2V和1.2V； 2.2制作一个由移相器和
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12
脉冲波形的产生和整形
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脉冲波形的产生和整形:介绍矩形脉冲波形的产生和整形电路。<br />
在脉冲整形电路中。介绍了最常用的两类整形电路——施密特触发器和单稳态触发器电路。在本章的最后，讨论了广为应用的555定时器和用它构成施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器的方法。<br />
7.1单稳态触发器<br />
单稳态触发器的工作特性具有如下的显著特点；<br />
第一，它