整流效应
共 34 篇文章
整流效应 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 34 篇文章，持续更新中。
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
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E54显示器整机线路分析
经整流桥整流出的直流电压 110V，由D906 整流，经R911，R912 后，再由C911 滤波，到UC3842 的⑦脚，当⑦脚，当⑦脚电压在16V-34V 之间时，UC3842 开始工作，此时⑧脚有了5V 的基准电压，⑥脚输出脉冲，使开关管Q901 导通，此时，变压器初级线圈（4-6）有电流产生，产生感应电动势，根据互感原理，初级线圈（1-2）也产生感应电压，经R913，D910 整流C911
整流二极管参数6A01--6A07
整流二极管参数6A01--6A07
场效应晶体管放大电路的动态分析
<P> 场效应晶体管放大电路的动态分析</P>
<P> 共源组态基本放大电路的动态分析</P>
<P> 共漏组态基本放大电路的动态分析</P>
5000种场效应管速查
5000种场效应管速查
放大电路的频率效应
放大电路的频率效应
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
整流二极管参数10A05--10A10
整流二极管参数10A05--10A10
CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
第10章 直流电源
§10.1 直流电源的组成及作用 §10.2 整流电路 §10.3 滤波电路 §10.4 稳压二极管稳压电路 §10.5 串联型稳压电路 §10.6 开关型稳压电路
汽车防撞雷达系统功率放大器仿真设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">设计了用于汽车防撞雷达的功率放大器，为了消除在K波段的寄生效应的影响，设计了直流偏置、输入输出匹配网络、耦合隔直和电源滤波的微带网络。通过ADS仿真，得到
场效应管四路模块使用说明
一、 尺寸：长63mmX宽48mmX高16mm 二、 主要芯片：FR1205(NMOS) 三、 输入控制电压：直流5V 输出控制电压12V~55V，电流为44A 四、串口下载程序 五、 特点： 1、输入控制电源与被控电源隔离 2、具有四路输出信号指示。 3、具有四路光耦隔离 4、四路输入信号低电平有效时有效 5、输入使用排针可方便与单片机设备相连 6、输出使用接线端子可方便接被控设备供电电源 7、
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
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