提高了
共 24 篇文章
提高了 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 24 篇文章，持续更新中。
基于计算全息的菲涅尔双随机相位加密技术
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于傅里叶计算全息技术，结合菲涅尔双随机相位加密系统，提出了一种数字图像加密方法。该方法以傅里叶计算全息图记录菲涅尔衍射双随机相位加密图像，傅里叶计算全
改进的基于模型匹配的快速目标识别
<span id="LbZY">文中建立不同类型目标的模型匹配数据库；采用最小周长多边形构造目标主体轮廓的近似多边形，以简化目标主体轮廓减少算法处理的数据量；提取具有仿射不变性的多边形顶点个数、最长线段两侧顶点个数、同底三角形面积比向量特征不变量对待识别目标进行描述，应用3个特征量在模型匹配数据库中逐一进行分层遍历搜索匹配。实验表明，基于模型匹配的目标识别算法能够快速的识别目标，提高了目标识别的实
基于T-S模糊故障树的系统故障诊断研究
<span id="LbZY">针对传统的故障树分析法在故障诊断中存在的缺点和不足，文中将模糊理论运用到故障诊断中，提出基于T-S的模糊故障树的故障诊断法。介绍了T-S模糊模型及算法，建立了诊断系统的故障库和推理机。使设备操作和维修人员可及时发现故障，降低系统故障率，提高了保障的能力。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-1
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/