开关封装
共 56 篇文章
开关封装 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 56 篇文章，持续更新中。
模拟cmos集成电路设计
拉扎维经典著作，陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\ 单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等
模拟cmos集成电路设计(design of analog
<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
双通道通用精密运算放大器评估板
<div>
EVAL-PRAOPAMP-2R/2RU/2RM评估板支持采用SOIC、TSSOP和MSOP封装的双运算放大器。它能以不同的应用电路和配置为用户提供多种选择和广泛的灵活性。该评估板不是为了用于高频器件或高速放大器。但是，它为用户提供了不同电路类型的多种组合，包括有源滤波器、仪表放大器、复合放大器，以及外部频率补偿电路。本应用笔记会给出几个应用电路的例子。<br />
<img al
三极管当开关使用
三极管除了可以做交流信号的放大器外，还能做开关使用，本文主要就是介绍三级当开关使用的情况作分析，以及三极管当开关使用时候的一些简单电路的介绍。
黑魔书(逻辑门的高速特性)pdf下载
在数字设备的设计中，功耗、速度和封装是我们主要考虑的3个问题，每位设计者都希望<BR>功耗最低、速度最快并且封装最小最便宜，但是实际上，这是不可能的。我们经常是从各种型号<BR>规格的逻辑芯片中选择我们需要的，可是这些并不是适合各种场合的各种需要。<BR>当一种明显优于原来产品的新的技术产生的时候，用户还是会提出各方面设计的不同需<BR>求，因此所有的逻辑系列产品实际上都是功耗、速度与封装的一种折
铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧
<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器：详细介绍原理，应用，使用技巧<p></p></FONT></P>
<P class=MsoNormal style="MARGIN
开关稳压器电路的效率特性分析
<p>
开关稳压器使用输出级，重复切换“开”和“关”状态，与能量存贮部件（电容器和感应器）一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p>
<p>
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231152A1N8.jpg" /></p>
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
多路复用器、模拟开关设计指南
多路复用器、模拟开关设计指南
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
CMOS和TTL电路探讨
<p>
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
单端10-bit SAR ADC IP核的设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">本设计通过采用分割电容阵列对DAC进行优化，在减小了D/A转换开关消耗的能量、提高速度的基础上，实现了一款采样速度为1
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料
MOS管的资料
精密运算放大器自动校零
运算放大器集成电路，与其它通用<BR>集成电路一样，向低电压供电方向发<BR>展，普遍使用3V供电，目的是减少功<BR>耗和延长电池寿命。这样一来，运算放<BR>大器集成电路需要有更高的元件精度和<BR>降低误差容限。运算放大器一般位于电<BR>路系统的前端，对于时间和温度稳定性<BR>的要求是可以理解的，同时要改进电路<BR>结构和修调技术。当前，运算放大器是<BR>在封装后用激光修调和斩波器稳
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
MT-015 DAC基本架构II：二进制DAC
虽然串DAC和温度计DAC是迄今最为简单的DAC架构，但需要高分辨率时，它们绝不是 最有效的。二进制加权DAC每位使用一个开关，首创于1920年代(参见参考文献1、2和3)。 自此以后一直颇受欢迎，成为现代精密和高速DAC的支柱架构。
ADIS16334安装_机械设计指南和示例
<div>
ADIS16334是一款薄型、完全校准的MEMS惯性测量单元(IMU)。图1为该封装的顶视图，其中包括四个安装孔，配备嵌入式安装架，有助于控制附加硬件的整体高度。安装孔为M2 × 0.4 mm或2至56个机械螺丝提供了足够的间隙。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1212131A523