开关器件
共 125 篇文章
开关器件 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 125 篇文章，持续更新中。
CMOS器件抗静电措施的研究
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<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CM
电位计讯号转换器
电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1．产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离；如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号，机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器，除了能提供两组讯号输出（输出间隔离）或24V激发电源供传送器
ADC噪声系数_一个经常被误解的参数
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噪声系数(NF)是RF系统设计师常用的一个参数，它用于表征RF放大器、混频器等器件的噪声，并且被广泛用作无线电接收机设计的一个工具。许多优秀的通信和接收机设计教材都对噪声系数进行了详细的说明(例如参考文献1)，本文重点讨论该参数在数据转换器中的应用。
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
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开关电源模块并联供电系统设计报告
开关电源模块开关电源模块并联供电系统设计报告
E54显示器整机线路分析
经整流桥整流出的直流电压 110V，由D906 整流，经R911，R912 后，再由C911 滤波，到UC3842 的⑦脚，当⑦脚，当⑦脚电压在16V-34V 之间时，UC3842 开始工作，此时⑧脚有了5V 的基准电压，⑥脚输出脉冲，使开关管Q901 导通，此时，变压器初级线圈（4-6）有电流产生，产生感应电动势，根据互感原理，初级线圈（1-2）也产生感应电压，经R913，D910 整流C911
波形及序列信号发生器设计
设计由555、移位寄存器、D/A转换器、PLD等器件构成的多路序列信号输出和阶梯波输出的发生器电路，重点学习555、D/A转换器及可编程逻辑器件的原理及应用方法。用Proteus软件仿真；实验测试技术指标及功能、绘制信号波形。
数字隔离器为工业电机驱动应用带来性能优势
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工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源电路会在电机绕组上导致电压沿激增现象，而这些电压沿则可以电容耦合进低电压电路之中。电源电路中，电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和传感器之间的长电缆形成多种路径，可将噪声耦合到控制反馈信号中。高性能驱动器需要必须与高噪声电源电路隔离开的高保真反馈控制和信号。在典型的驱动系统中，
BJT与MOSFET的开关应用
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本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p>
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前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试
施耐德真空断路器说明书PDF
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施耐德真空断路器说明书</p>
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概述 3<br />
标准与规范 3<br />
使用环境 3<br />
型号说明 3<br />
EV12s 真空断路器的电气性能 4<br />
详细技术参数 5<br />
外形尺寸 6<br />
电气接线原理图 11<br />
底盘车接地方式 15<br />
EV12s 真空断路器与开关柜的配合尺寸 16<br
MEMS传感器的静止带宽测试
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对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言，优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标，往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时，一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性，需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在
开关电源并联均流技术
讨论几种常用的开关电源并联均流技术，阐述其主要工作原理及特点。<br />
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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电子元器件的封装尺寸
元器件封装
串入式声音延时开关的制作
串入式声音延时开关的制作
基于FPGA和虚拟仪器的DDS信号发生器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">将虚拟仪器技术同FPGA技术结合，设计了一个频率可控的DDS任意波形信号发生器。在阐述直接数字频率合成技术的工作原理、电路构成的基础上，分别介绍了上位机
CMOS模拟开关工作原理
<P class=MsoNormal style="BACKGROUND: white; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan" align=left><FONT size=3>开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或
声控开关和光控开关的制作
声控开关和光控开关的制作
ADV7511 HDCP 1.1使能_禁用选项
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ADV7511 HDMI®发送器支持HDCP 1.1特性；然而，业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性，特别是增强链路验证(Pj校验)，存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释，ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中，如果接收器在
揭开∑—△ADC的神秘面纱
越柬越多的应用 例如过程控制、称重等 都需要高分辨率、高集成度和低价格的ADC。 新型Σ ．△转换技术恰好可以满足这些要求 然而， 很多设计者对于这种转换技术并不 分了解， 因而更愿意选用传统的逐次比较ADC Σ．A转换器中的模拟部分非常简单(类似j 个Ibit ADC)， 而数字部分要复杂得多， 按照功能町划分为数字滤波和抽取单元 由于更接近r 个数字器件，Σ