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介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。...

📅 2013-10-27

介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证...

📅 2013-10-08

在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。 ...

📅 2013-10-18

摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度...

📅 2013-11-19

电压带隙基准一个在模拟电路中很重的一部分，本文论述了带隙基准的一个高阶补偿方法...

📅 2014-01-02

一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计...

📅 2021-10-17

高精度曲率校正带隙基准电压源的设计68页...

📅 2021-10-17

jssc上优秀文章，用CMOS建立的基准电路...

📅 2013-10-20

根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构，具有适应低电...

📅 2014-01-09

基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给...

📅 2014-12-03

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