射频激励
共 35 篇文章
射频激励 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 35 篇文章，持续更新中。
（全美经典）工程电磁场基础
关于工科电磁场理论的基础教材，是无线电通信技术、射频技术基础。。。。。。
使用时钟PLL的源同步系统时序分析
使用时钟PLL的源同步系统时序分析<BR>一）回顾源同步时序计算<BR>Setup Margin = Min Clock Etch Delay – Max Data Etch Delay – Max Delay Skew – Setup Time<BR>Hold Margin = Min Data Etch Delay – Max Clock Etch Delay + Min Delay Skew
MT-012 ADC需要考虑的交调失真因素
交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用 指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算 不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数，但当将其用于ADC 时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义，然后指出将 IP2和IP3的定义应用于ADC时必须采取的一些预防措施。
电磁导波激励脉冲群最佳重复频率确定
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">电磁导波检测技术因其非接触耦合的特性已被广泛应用于各种金属管道无损检测领域中，但导波的激励脉冲群重复频率的确定长久以来却
MEMS传感器的静止带宽测试
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对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言，优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标，往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时，一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性，需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在
射频基础知识培训
华为射频基础知识，不看白不看哈
一种X波段频率合成器的设计方案
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在非相参雷达测试系统中，频率合成技术是其中的关键技术.针对雷达测试系统的要求，介绍了一种用DDS激励PLL的X波段频率合成器的设计方案。文中给出了主要的硬件选择及具体电路设计，通过对该频率合成器的相位噪声和捕获时间的分析，及对样机性能的测试，结果表明该X波段频率合成器带宽为800 MHz、输出相位噪声优于-80 dBc/Hz@10 kHz、频率分辨率达0.1 MHz， 可满足雷达测试
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
DA转换接口的射频IQ调制
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Linear Technology’s High Frequency Product lineupincludes a variety of RF I/Q modulators. The purpose ofthis application note is to illustrate the circuits requiredto inte
数字预失真系统反馈通道增益平坦度的补偿
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对数字预失真系统对反馈链路平坦度的要求，提出一种在不断开模拟链路的前提下，采用单音测量WCDMA&LTE混模基站射频拉远单元反馈链路的增益平坦
锁相环频率合成器-ad9850激励
用ad9850激励的锁相环频率合成器<BR>山东省济南市M0P44 部队Q04::00R 司朝良<BR>摘要! 提出了一种ad9850和ad9850相结合的频率合成方案! 介绍了ad9850芯片ad9850的基本工作<BR>原理" 性能特点及引脚功能! 给出了以1!2345 作为参考信号源的锁相环频率合成器实例! 并对该频<BR>率合成器的硬件电路和软件编程进行了简要说明#<BR>关键词! !!"
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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48MHz窄带射频功放设计
48MHz窄带射频功放电路
宽带射频功率放大器的数字预失真技术研究
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本课题主要研究对象为数字预失真技术中的功放模型的建立及数字预失真算法的研究。功放的数学模型主要分为无记忆模型和记忆模型，分析了不同模型的参数估计的方法。针对以往常见的模型反转数字预失真算法，课题分析并使用了新颖的间接学习(indirect learning)数字预失真算法，从而有效避免了无法对功放模型进行求逆的缺陷，并在此架构下仿真了不同功放模型的参数估计对于数字预失真效果的影响。针
强电磁脉冲激励对良导体的透射
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计算了理想脉冲平面电磁波的穿透幅度衰减因子，并分析了理想脉冲电磁波和简谐电磁波的幅度衰减因子，根据幅度衰减因子相同的原则，给出了理想脉冲电磁波的简谐电磁波等效频率，为电磁屏蔽防护技术提供设计理论参考。</p>
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