射频基础知识
共 45 篇文章
射频基础知识 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 45 篇文章，持续更新中。
射频遥控在家电遥控器中的应用电路图
射频遥控在家电遥控器中的应用电路图
宽频带高功率射频脉冲功率放大器
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
ISM射频产品的晶体频率计算
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Abstract: Many industrial/scientific/medical (ISM) band radio frequency (RF) products use crystal oscillators to generate areference for the phase-locked loop (PLL)-based local oscillator (LO).
3GHz射频信号源模块GR6710
产品概要： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定义IO接口。 产品描述： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，还可以通过IQ选件实现其它任
仪器实际操作基础知识（数字微波仪器）
实用性强
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
射频电路设计很好的PPT
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第02讲 半导体基础知识
模电
（全美经典）工程电磁场基础
关于工科电磁场理论的基础教材，是无线电通信技术、射频技术基础。。。。。。
很全的电子元器件基础知识讲义
常用电子元器件的基本知识归纳！适合初学者使用借鉴！
MT-012 ADC需要考虑的交调失真因素
交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用 指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素，以其为基础可以计算 不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数，但当将其用于ADC 时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义，然后指出将 IP2和IP3的定义应用于ADC时必须采取的一些预防措施。
电工基础和模拟电路基础
主要是电工基础和一些模拟电路基础知识
组合放大电路基础知识
<P> 共射—共基放大电路</P>
<P> 共集—共集放大电路</P>
很全的电子元器件基础知识讲义
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射频基础知识培训
华为射频基础知识，不看白不看哈
运算放大器课本 详细课本 从基础知识到应用
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DA转换接口的射频IQ调制
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Linear Technology’s High Frequency Product lineupincludes a variety of RF I/Q modulators. The purpose ofthis application note is to illustrate the circuits requiredto inte
数字预失真系统反馈通道增益平坦度的补偿
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对数字预失真系统对反馈链路平坦度的要求，提出一种在不断开模拟链路的前提下，采用单音测量WCDMA&LTE混模基站射频拉远单元反馈链路的增益平坦
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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