容栅数显卡
共 42 篇文章
容栅数显卡 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 42 篇文章，持续更新中。
运算放大器使用方法
运算放大器 运算 模电 数电
数字电子技术基础.第四版高等教育出版社
主要讲数电部分
高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计
<span id="LbZY">基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺，设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器，采用最大电流选择电路作为输入级，AB类结构作为输出级。通过cadence仿真，其输入输出均能达到轨到轨，整个电路工作在3 V电源电压下，静态功耗仅为0.206 mW，驱动10pF的容性负载时，增益高达100.4 dB，单位增益带宽约为4.2 MHz，相位裕度为63
数电综合性设计实验——集成式数字闹钟
数电实验课程设计
数字隔离器为工业电机驱动应用带来性能优势
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工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源电路会在电机绕组上导致电压沿激增现象，而这些电压沿则可以电容耦合进低电压电路之中。电源电路中，电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和传感器之间的长电缆形成多种路径，可将噪声耦合到控制反馈信号中。高性能驱动器需要必须与高噪声电源电路隔离开的高保真反馈控制和信号。在典型的驱动系统中，
节拍电位发生器
节拍电位发生器数电实验
主成分分析的图像压缩与重构
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">针对图像占用空间大，特征表示时维数较高等的缺点，系统介绍了主成分分析（PCA）的基本原理。提出了利用PCA进行图像数据压缩与重建的基本模型。实验结果表明，利用PCA能有效的减少数据的维数，进行特征提取，实现图像压缩，同
差分数据传输有何区别
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隔离器的主要功能是通过电气隔离栅传送某种形式的信息，同时阻止电流。隔离器采用绝缘材料制造，可以阻止电流，隔离栅两端都有耦合元件。信息通常在传输通过隔离栅之前由耦合元件编码。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-121211153131R6.jpg" style="width: 496px; heigh
数电技术课件
很好 很全的数电学习资料
数字容性隔离器的磁场抗扰度
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数字容性隔离器的应用环境通常包括一些大型电动马达、发电机以及其他产生强电磁场的设备。暴露在这些磁场中，可引起潜在的数据损坏问题，因为电势（EMF，即这些磁场形成的电压）会干扰数据信号传输。由于存在这种潜在威胁，因此许多数字隔离器用户都要求隔离器具备高磁场抗扰度 (MFI)。许多数字隔离器技术都声称具有高 MFI，但容性隔离器却因其设计和内部结构拥有几乎无穷大的MFI。本文将对其设计进
数电实验6
数电实验6电路图
高速数据转换器评估平台(HSDCEP)用户指南评估
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高速数据转换器评估平台(HSDCEP)是基于PC的平台，提供评估Maxim RF数/模转换器(RF-DAC，支持更新速率≥ 1.5Gsps)和Maxim数字上变频器(DUC)的齐全工具。HSDCEP可以在每对数据引脚产生速率高达1.25Gbps的测试码型，支持多达4条并行16位LVDS总线。通过USB 2.0端口将最长64兆字(Mw)、每字16位宽的数据码型装载至HSDCEP存
数电Verilog相关课件
数电Verilog相关课件
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120222105RbW.jpg" style="width: 404px; h
基于新型CCCII的电流模式积分电路
介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性，以及其基本组成共源共栅电流镜，并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上，设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路，并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。<br />
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继电器数显温度采集模拟开关量输入控制板
1、可编程（通过下载排针可下载程序） 2、具有两路数字量(IN0和IN1)控制/检测信号输入端 3、两路AD模拟量输入（A1和A2） 4、两个按键输入 5、两路继电器输出指示灯 6、可控制两路交流220V/10A一下设备。（最大控制设备2000W） 7、板子带有防反接二极管 8、标准的11.0592晶振
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/
四点独立控制电灯
该文件是报告形式，为数电初学者提供一种设计思路，该原理图是本人设计并在Multisim11中仿真实现，报告中含有真值表、电路原理图等。现提供给大家仅供学习参考，由于该原理本人为在实际电路中测试所以对于应用该原理导致的一切后果本人不负任何责任！！！
模电、数电所必备的电路基础知识
模电、数电所必备的电路基础知识
共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较
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给出了两种应用于两级CMOS 运算放大器的密勒补偿技术的比较,用共源共栅密勒补偿技术设计出的CMOS 运放与直接密勒补偿相比,具有更大的单位增益带宽、更大的摆率和更小的信号建立时间等优点,还可以在达到相同补偿效果的情况下极大地减小版图尺寸. 通过电路级小信号等效电路的分析和仿真,对两种补偿技术进行比较,结果验证了共源共栅密勒补偿技术相对于直接密勒补偿技术的优越性.<br />
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