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共 28 篇文章
存储体 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 28 篇文章,持续更新中。

AD7292 DAC禁用功能时序

<div> AD7292是一款单芯片解决方案,集外部器件的通用模拟信号监控和控制所需的全部功能于一体。

什么是超电解电容器

什么是超级电容器? <BR><BR>◆ 超级电容器(supercapacitor,ultracapacitor),又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容,通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件,但在其储能的过程并不发生化学反应,这种储能过程是可逆的,也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 <BR><BR>◆ 超级电容器可以被

用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制

<p> &nbsp;</p> <div> 氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例,它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标,说明了应用场合。

一种基于LBT的分布式图像压缩算法

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">无线多媒体传感器网络(WMSNs)中传感器节点采集的数据量非常大,在传输前需对大数据量的多媒体信息进行压缩处理,但是单节点能源受限,存储、处理能力相对较

MT-009 数据转换器代码——您能解译这些代码吗?

模数转换器(ADC)将模拟量——现实世界中绝大部分现象的特征——转换为数字语言,以便用于信息处理、计算、数据传输和控制系统。数模转换器(DAC)则用于将发送或存储的数据,或者数字处理的结果,再转换为现实世界的变量,以便控制、显示信息或进一步进行模拟处理

5 Gsps高速数据采集系统的设计与实现

<p> <span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">以某高速实时频谱仪为应用背景,论述了5 Gsps采样率的高速数据采集系统的构成和设计要点,着重分析了采集系统的关键部分高速ADC(analog to digital,模数转换器)的设计、系统采样时钟设计、模数

XTR105_BURR-BROWN_273961

XTR105、XTR112、XTR114是美国Burr-Brown公司在传感器领域推出的用于RTD的两线制专用集成变送电路,这个电路的突出优点是可以对Pt电阻中的二次项进行线性化补偿。文章介绍了它们的工作原理及其在一体化温度变送器中的应用。 关键词:XTR;RTD;线性化;温度变送器

基于CUDA的红外图像快速增强算法研究

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对红外图像边缘模糊,对比度低的问题,文中研究了改进的中值滤波和改进的Sobel边缘检测对红外图像进行处理。在对处理后图像的特征进行分析的基础上,研究了

一种DDS任意波形发生器的ROM优化方法

<span style="color: rgb(102, 102, 102); font-family: 宋体, Arial, Helvetica, sans-serif; line-height: 25px;">提出了一种改进的基于直接频率合成技术(DDS)的任意波形发生器在现场可编程门阵列(FPGA)上的实现方法。首先将三角波、正弦波、方波和升/降锯齿波的波形数据写入片外存储器,当调用时再将相

时钟分相技术应用

<p> 摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br /> 关键词: 时钟分相技术; 应用<br /> 中图分类号: TN 79  文献标识码:A   文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br /> 时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br /> 性能。尤其现代电子系统对性

MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 <P>Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输

增量式光电编码器信号处理电路方案

设计了一种集编码器信号接收、光电隔离、鉴相、频率电压转化和电压调整输出功能于一体的综合性电路,并对电路各组成部分作了较为详细的分析和阐述。实践证明,该电路通用性强、操作简单、性能可靠、实用性强。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202161F92S54.jpg" />

4-20mA~0-5V两通道模拟信号隔离采集A D转换器

isoad系列产品实现传感器和主机之间的信号安全隔离和高精度数字采集与传输,广泛应用于rs-232/485总线工业自动化控制系统,4-20ma / 0-10v信号测量、监视和控制,小信号的测量以及工业现场信号隔离及长线传输等远程监控场合。通过软件的配置,可接入多种传感器类型,包括电流输出型、电压输出型、以及热电偶等等。 产品内部包括电源隔离,信号隔离、线性化,a/d转换和rs-485串行通信等模块

RF前置放大电路基础知识

<p>   RF前置放大电路即读取光碟片射频信号的放大电路.其放大电路性能的好坏会直接影响到DVD-ROM产品性能的好坏.其主要功能如下:</p> <p>   (1)对镭射二极体供电进行控制.并产生参考</p> <p>   电压.</p> <p>   (2)对从光感检测器输出的微弱电流信号转成</p> <p>   电压信号进行放大处理.<br /> <img alt="" src="h

任意波发生器的研究与设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">在任意波形发生器设计中,DDS技术具有成本低、功耗小、分辨率高和切换时间快等优点,但波形形状任意可编辑性较差;软件无线电技术可产生任意复杂波形,但切换时

双极运算放大器的辐射效应和退火特性

<div>  本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6

XAPP983-从 Flash存储器执行和调试软件

<div> This document and the associated reference design provide guidance for assigning anddebugging software to or in FLASH memory, specifically for a MicroBlaze&trade; embeddedprocessor design.<br /

基带成形滤波器的数字设计与实现

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">&nbsp;根据基带成型滤波器的工作原理,文中设计出了一种基带成型滤波器的数字实现方案。该方案首先运用MATALB仿真工

电感和磁珠的区别及应用场合和作用

<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT face=宋体>磁珠由氧磁体组成,电感由磁心和线圈组成,磁珠把交流信号转化为热能,电感把交流存储起来,缓慢的释放出去。<p></p></FONT></P> <P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT fa

SIMATIC 逻辑运算指令

ANDB (字节与) 指令对两个输入字节按位与 得到一个字节结<BR>果 (OUT)ORB (字节或) 指令对两个输入字节按位或 得到一个字节结<BR>果 (OUT)XORB (字节异或) 指令对两个输入字节按位异或得到一个字<BR>节结果 (OUT)使 ENO = 0 的错误条件是SM4.3 (运行时间) 0006 (间接寻<BR>址)这些指令影响下面的特殊存储器位 SM1.0 (零)