声子晶体

共 40 篇文章
声子晶体 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 40 篇文章,持续更新中。

一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实

压控振荡电路的设计

<p> 能实现VCO 功能的电路很多,常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器,积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点,下面做简要分析,并选择最合适的方案。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111

5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计

<p> 采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动&lt;0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12

基于ATF54143平衡式低噪声放大器的设计

基于低噪声放大器(LNA)的噪声系数和驻波比之间的矛盾,本文采用安捷伦公司的ATF54143晶体管计了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪声放大器。该设计分为两部分:3 dB 90&deg;相移定向耦合器和并联的低噪声放大器。本文中首先介绍LNA相关理论,然后通过安捷伦公司的ADS仿真软件进行电路仿真,仿真结果满足设计要求,达到了低噪声系数和良好地驻波比要求。此文也为后面电路的设计和调试提供

10.7 MHz中等带宽晶体滤波器的研制

文中使用了一种较为简单但非常实用的设计方法,采用四节八晶体差接桥型电路,设计和研制出了一种小型化低损耗中等带宽的石英晶体滤波器。该产品的中心频率为10.7 MHz,通带带宽属中等,阻带抑制要求较高,插入损耗较小,矩形系数小,晶体滤波器外形尺寸偏小。解决的关键技术问题是:晶体滤波器电路的设计,滤波器晶体谐振器的设计,滤波器的插损IL≦3 dB、3 dB带宽Bw3dB&ge;&plusmn;19 kH

第14讲 频率响应概述与晶体管的高频等效电路

模电

模拟无绳电话电路分析

<p> 无绳电话机由主机(座机或母机)和副机(即手机或子机)构成,采用无线方式连接,利用无线电波进行通信。使用时将主机接入市话网内,用户可以在一定空间内自由移动,随时实现正常的寻呼和通话功能。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111230144130439.jpg" /></p>

场效应晶体管放大电路的动态分析

<P>  场效应晶体管放大电路的动态分析</P> <P>  共源组态基本放大电路的动态分析</P> <P>  共漏组态基本放大电路的动态分析</P>

机翼极限环振荡仿真与计算

<span id="LbZY">机翼极限环振荡(LCO)是典型的非线性气动弹性问题,严重的会造成机翼的结构破坏。为了精确捕捉极限环振荡初始临界点,准确预测极限环的幅值,为机翼的设计提供准确的数据参考,本文综合考虑了气动与结构非线性的影响,提出了一种松耦合气动弹性仿真方法。在子迭代过程中分别采用LUSGS双时间推进和多步推进法交替求解气动和结构动力学方程;一种高效的插值技术应用于耦合界面数据的映射与

晶体管电路设计(上)

晶体管电路设计(上).pdf

基于映射函数收缩算法的图像去噪方法

文中讨论了图像的高斯加性噪声模型和图像的稀疏性表示,提出了利用映射函数来描述图像的去噪过程,通过求解映射函数和利用映射函数对加噪图像的小波变换子带系数进行变换,达到了降低图像噪声并使加噪图像逼近原始图像的目的。经过实验比较,验证了本文算法的可行性和鲁棒性。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-13031216311DA.jp

电路分析基础-ppt教程

<P>第一章&nbsp; 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1&nbsp; 电路与电路模型<BR>1.2&nbsp; 电路分析的基本变量<BR>1.3&nbsp; 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4&nbsp; 基尔霍夫定律<BR>1.5&nbsp; 受&nbsp; 控&nbsp; 源<BR>1.6&nbsp; 两类约束和KCL,KVL方程

电子学实验

<P>课程目标:培养学生设计与实作电子电路的基本能力。</P> <P>课程内容:电子仪表的认识与使用<BR>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;&nbsp;&nbsp; 电晶体电路<BR>&nbsp;&nbsp;&nb

CMOS闩锁效应

<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路<p></p></P>

针对高速应用的电流回授运算放大器

讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器<BR>电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势,并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。<BR>电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限,随着讯号振幅的增加,而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真,所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围

第04讲 晶体三极管

模电

小信号高频晶体管放大器

小信号高频晶体管放大器

晶体振荡器设计,以满足您的应用

<div> Abstract: Quartz crystals are mechanical resonators with piezoelectric properties. The piezoelectricproperties (electric potential across the crystal is proportional to mechanical deformation)

晶体管电路设计上

晶体管电路设计

晶体管性能讲解

晶体管的结构及性能