器件特性
共 156 篇文章
器件特性 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 156 篇文章，持续更新中。
很全的电子元器件基础知识讲义
常用电子元器件的基本知识归纳！适合初学者使用借鉴！
模拟电子基础器件动画模拟视频教程1
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS
飞行模拟器可扩展数字量输出系统的设计与实现
<span id="LbZY">控制某型飞机模拟座舱中的Led、继电器、小电流元件，满足易于扩充规模的工程需求，采用充分利用元器件特性的方法，使用一种可扩展数字量输出系统建立开出通道，在电路层预留扩充接口，实现座舱灯光信号、电路状态切换、外部设备数控的功能。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1306251G941
压控振荡电路的设计
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能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111
电感和磁珠的区别及应用场合和作用
<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT face=宋体>磁珠由氧磁体组成，电感由磁心和线圈组成，磁珠把交流信号转化为热能，电感把交流存储起来，缓慢的释放出去。<p></p></FONT></P>
<P style="WORD-BREAK: break-all; LINE-HEIGHT: 16.7pt"><FONT fa
CMOS器件抗静电措施的研究
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<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CM
ADC噪声系数_一个经常被误解的参数
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噪声系数(NF)是RF系统设计师常用的一个参数，它用于表征RF放大器、混频器等器件的噪声，并且被广泛用作无线电接收机设计的一个工具。许多优秀的通信和接收机设计教材都对噪声系数进行了详细的说明(例如参考文献1)，本文重点讨论该参数在数据转换器中的应用。
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
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传输线理论(精)
主要描述了传输线在高频下的一些特性
电磁导波激励脉冲群最佳重复频率确定
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">电磁导波检测技术因其非接触耦合的特性已被广泛应用于各种金属管道无损检测领域中，但导波的激励脉冲群重复频率的确定长久以来却
BP8Y系列频敏变阻器资料
BP8Y系列频敏变阻器(以下简称变阻器)专用于电机功率1.5~200kW，频率为50Hz的YZR系列起重及冶金用三相异步电动机频繁操作条件下的起动及反接设备。该变阻器直接连接于异步电动机的转子回路中，<br />
不需另装接触器等短接设备；能使电动机获得接近恒转矩的机械特性，是极为理想的起动元件。<br />
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运算放大器中的虚断虚短应用
<P> 虚短和虚断的概念</P>
<P> 由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。</P>
<P> “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一
波形及序列信号发生器设计
设计由555、移位寄存器、D/A转换器、PLD等器件构成的多路序列信号输出和阶梯波输出的发生器电路，重点学习555、D/A转换器及可编程逻辑器件的原理及应用方法。用Proteus软件仿真；实验测试技术指标及功能、绘制信号波形。
BJT与MOSFET的开关应用
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本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p>
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前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试
MEMS传感器的静止带宽测试
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对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言，优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标，往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时，一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性，需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在
LSTTL电路的参数特性分析
LSTTL电路的参数特性分析
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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AN-741鲜为人知的相位噪声特性
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关于相位噪声专题的信息有很多，包括相位噪声特性1、相位噪声测量方法2以及它对系统性能的影响3。众所周知，振荡器和时钟的相位噪声已成为导致现代无线电系统性能降低的因素之一。然而，大多数传统相位噪声分析仅将重点放在单载波无线电系统中正弦波信号的降低，而相位噪声对多载波接收机、宽带系统或数字无线电的影响则很少涉及。本应用笔记将讨论一些与数据采样系统相位噪声有
电子元器件的封装尺寸
元器件封装
基于FPGA和虚拟仪器的DDS信号发生器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">将虚拟仪器技术同FPGA技术结合，设计了一个频率可控的DDS任意波形信号发生器。在阐述直接数字频率合成技术的工作原理、电路构成的基础上，分别介绍了上位机