器件原理
共 216 篇文章
器件原理 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 216 篇文章，持续更新中。
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
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多头动臂式贴片机贴装时间分阶段启发式优化算法
摘要:贴片机贴装时间是影响表面组装生产线效率的重要因素，文中提出了一种改进式分阶段启发式算法解决具有分飞行换嘴结构的多贴装头动臂式贴片机贴装时间优化问题;首先，根据飞行换嘴的特点，提出了适用于飞行换嘴的喂料器组分配方案;其次，依据这一分配结果，通过改进式启发式算法实现了喂料器组在喂料器机构上的分配;最后，结合近邻搜索法解决了元器件的贴装顺序优化问题;仿真结果证明，文中采用的改进分阶段启发式算法比传
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数字电子逻辑器件
很全的电子元器件基础知识讲义
很全的电子元器件基础知识讲义
如何增强三端稳压器的性能
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三端稳压器，主要有两种，一种输出电压是固定的，称为固定输出三端稳压器，另一种输出电压是可调的，称为可调输出三端稳压器，其基本原理相同，均采用串联型稳压电路。在线性集成稳压器中，由于三端稳压器只有三个引出端子，具有外接元件少，使用方便，性能稳定，价格低廉等优点，因而得到广泛应用。</p>
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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
16位10 MSPS ADC AD7626的单端转差分高速驱动电路
图1所示电路可将高频单端输入信号转换为平衡差分信号，用于驱动16位10 MSPS PulSAR® ADC AD7626。该电路采用低功耗差分放大器ADA4932-1来驱动ADC，最大限度提升AD7626的高频输入信号音性能。此器件组合的真正优势在于低功耗、高性能<br />
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电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
基于小波分析的脉搏波信号处理
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对脉搏波信号进行分析之前，对信号的去噪非常重要，本论文利用Mallat算法对脉搏波信号进行多分辨分析和去噪，分别对阈值法、平移不变量法、模极大值法的降噪原理进行分析，通过大量实验对比，比较了它们在处理脉搏波信号方面的优缺点。通过对一段含噪脉搏波信号降噪，得到了满意的去噪效果。<br />
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CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
针对高速应用的电流回授运算放大器
讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器<BR>电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势，并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。<BR>电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限，随着讯号振幅的增加，而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真，所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围
放大器类型学习笔记
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区分放大器的其中一种方式是通过其输出级的类型。这种分类由输出器件接通的输出周期百分比决定。基本考量是失真与功率的关系。
第1章 常用半导体器件
常用半导体的组成与结构
锁相环频率合成器-ad9850激励
用ad9850激励的锁相环频率合成器<BR>山东省济南市M0P44 部队Q04::00R 司朝良<BR>摘要! 提出了一种ad9850和ad9850相结合的频率合成方案! 介绍了ad9850芯片ad9850的基本工作<BR>原理" 性能特点及引脚功能! 给出了以1!2345 作为参考信号源的锁相环频率合成器实例! 并对该频<BR>率合成器的硬件电路和软件编程进行了简要说明#<BR>关键词! !!"
自适应滤波器的MATLAB实现
自适应滤波器的原理分析和设计流程，及matlab程序
量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。<br />
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555时基集成电路简介
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p>
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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理解和应用数字电位器
描述了数字电位器工作原理、特点、分类及广泛应用，阐述了与机械电位器相比，数字电位器的优点，同时也描述了数字电位器AD5272内部电路结构，在此基础上进一步提出了对数字电位器AD5272应用电路系统的设计。结果表明，在低成本的前提下，将数字电位器的性能及应用充分展示，同时验证了数字电位器更为经济实用。<br />
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模拟电子视频教程2
用动画的方式进行模拟，介绍模电里的基础性原理，像PN节 二极管 三极管 CMOS