华为数通
共 69 篇文章
华为数通 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 69 篇文章，持续更新中。
E54显示器整机线路分析
经整流桥整流出的直流电压 110V，由D906 整流，经R911，R912 后，再由C911 滤波，到UC3842 的⑦脚，当⑦脚，当⑦脚电压在16V-34V 之间时，UC3842 开始工作，此时⑧脚有了5V 的基准电压，⑥脚输出脉冲，使开关管Q901 导通，此时，变压器初级线圈（4-6）有电流产生，产生感应电动势，根据互感原理，初级线圈（1-2）也产生感应电压，经R913，D910 整流C911
数电综合性设计实验——集成式数字闹钟
数电实验课程设计
基于AD603程控宽带放大器的设计
本设计是采用AD603可控增益放大器芯片设计的一款高增益，高宽带直流放大器，采用两级级联放大电路了，提高了放大增益，扩展了通频带宽，而且具有良好的抗噪声系数，采用AT89S52芯片控制数模转换(DAC0832芯片)进行程控放大控制，在0—20MHz频带内，放大倍数在0-40dB之间进行调节，增益起伏为1dB。系统具有键盘输入预置，增益可调和液晶显示，具有很强的实际应用能力。
节拍电位发生器
节拍电位发生器数电实验
主成分分析的图像压缩与重构
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">针对图像占用空间大，特征表示时维数较高等的缺点，系统介绍了主成分分析（PCA）的基本原理。提出了利用PCA进行图像数据压缩与重建的基本模型。实验结果表明，利用PCA能有效的减少数据的维数，进行特征提取，实现图像压缩，同
CMOS模拟开关工作原理
<P class=MsoNormal style="BACKGROUND: white; MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-ALIGN: left; mso-pagination: widow-orphan" align=left><FONT size=3>开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或
数电技术课件
很好 很全的数电学习资料
256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)
采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。
华为内部资料(硬件工程师)
华为硬件工程师培训资料，单片机，嵌入式。
数电实验6
数电实验6电路图
高速数据转换器评估平台(HSDCEP)用户指南评估
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高速数据转换器评估平台(HSDCEP)是基于PC的平台，提供评估Maxim RF数/模转换器(RF-DAC，支持更新速率≥ 1.5Gsps)和Maxim数字上变频器(DUC)的齐全工具。HSDCEP可以在每对数据引脚产生速率高达1.25Gbps的测试码型，支持多达4条并行16位LVDS总线。通过USB 2.0端口将最长64兆字(Mw)、每字16位宽的数据码型装载至HSDCEP存
适合过程控制应用的完全可编程通用模拟前端
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本电路针对过程控制应用提供一款完全可编程的通用模拟前端(AFE)，支持2/3/4线RTD配置、带冷结补偿的热电偶输入、单极性和双极性输入电压、4 mA至20 mA输入，串行控制的8通道单刀单掷开关ADG1414用于配置选定的测量模式。
数电Verilog相关课件
数电Verilog相关课件
华为模电讲义（上）
模拟电子技术
ads1240通讯程序
德州仪器24bit AD；ads1240 通讯程序
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
射频基础知识培训
华为射频基础知识，不看白不看哈
继电器数显温度采集模拟开关量输入控制板
1、可编程（通过下载排针可下载程序） 2、具有两路数字量(IN0和IN1)控制/检测信号输入端 3、两路AD模拟量输入（A1和A2） 4、两个按键输入 5、两路继电器输出指示灯 6、可控制两路交流220V/10A一下设备。（最大控制设备2000W） 7、板子带有防反接二极管 8、标准的11.0592晶振
CMOS闩锁效应
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; tab-stops: 12.0pt">闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路<p></p></P>
模电经典资料
华为内部模电资料。