半导体开关
共 58 篇文章
半导体开关 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 58 篇文章，持续更新中。
模拟cmos集成电路设计(design of analog
<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&
模电应知应会200问
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1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点?<br />
答：频率特性好、体积小、功耗小，便于电路的集成化产品的袖珍化，此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出；但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。<br />
2、什么是本征半导体和杂质半导体？<br />
答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低
用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制
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氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例，它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指标，说明了应用场合。
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
全球著名半导体厂家介绍
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德州仪器（Texas Instruments），简称TI，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.co
三极管当开关使用
三极管除了可以做交流信号的放大器外，还能做开关使用，本文主要就是介绍三级当开关使用的情况作分析，以及三极管当开关使用时候的一些简单电路的介绍。
模拟电路教程
我也是下别人的，内容涵盖了许多模拟电路的基本知识，如半导体，场效应管，集成运算放大器，低频功率放大电路，等等，很不错的
时钟分相技术应用
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摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br />
关键词: 时钟分相技术; 应用<br />
中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br />
时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br />
性能。尤其现代电子系统对性
模块时代之ADI实验室电路
“半导体厂商越来越倾向于提供一揽子的解决方案，用以帮助客户以最快的速度和最低的研发成本推出新产品，一个典型的例子就是“山寨手机”，但手机毕竟是高度集成的数字化产品，那么模拟电路的应用是否也可以走同样的路呢？看来已经有厂家在这么做了，ADI实验室电路的推出就是解决模拟电路/模拟－数字混合电路应用的一揽子解决方案。”
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
开关稳压器电路的效率特性分析
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开关稳压器使用输出级，重复切换“开”和“关”状态，与能量存贮部件（电容器和感应器）一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231152A1N8.jpg" /></p>
多路复用器、模拟开关设计指南
多路复用器、模拟开关设计指南
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
单端10-bit SAR ADC IP核的设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">本设计通过采用分割电容阵列对DAC进行优化，在减小了D/A转换开关消耗的能量、提高速度的基础上，实现了一款采样速度为1
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
MT-015 DAC基本架构II：二进制DAC
虽然串DAC和温度计DAC是迄今最为简单的DAC架构，但需要高分辨率时，它们绝不是 最有效的。二进制加权DAC每位使用一个开关，首创于1920年代(参见参考文献1、2和3)。 自此以后一直颇受欢迎，成为现代精密和高速DAC的支柱架构。
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．