功率mos管

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功率mos管 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 144 篇文章,持续更新中。

黑魔书(逻辑门的高速特性)pdf下载

在数字设备的设计中,功耗、速度和封装是我们主要考虑的3个问题,每位设计者都希望<BR>功耗最低、速度最快并且封装最小最便宜,但是实际上,这是不可能的。我们经常是从各种型号<BR>规格的逻辑芯片中选择我们需要的,可是这些并不是适合各种场合的各种需要。<BR>当一种明显优于原来产品的新的技术产生的时候,用户还是会提出各方面设计的不同需<BR>求,因此所有的逻辑系列产品实际上都是功耗、速度与封装的一种折

径向功率分配合成器的设计

<div> 讨论一种多路径向功率分配合成器的设计及其阻抗匹配问题, 这种功率分配器和合成器合成效率高, 是固态功率合成的理想途径。<br /> <br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12021GF526318.jpg" style="width: 486px; height: 237px; " />

模拟电路教程

我也是下别人的,内容涵盖了许多模拟电路的基本知识,如半导体,场效应管,集成运算放大器,低频功率放大电路,等等,很不错的

功率分配器合成器

功率分配合成原理

三极管微变等效电路

模拟电子技术

mos管门级驱动电阻计算

mos管门级驱动电阻计算

整流二极管参数(1N4001-1N4007)

整流二极管参数(1N4001-1N4007)

晶体管代换手册下载

<P>为使本书成为国内目前<BR>  最新、最全、最适用的晶体管<BR>  代换手册,编者根据国内外<BR>  出版的最新资料,在1992年<BR>  最新增订版的基础上,又增<BR>  加了数千种日本晶体管和数<BR>  千种欧州晶体管型号及其代<BR>  换的国内外型号,并且,还介<BR>  绍了美国1985年以前生产<BR>  的3N型场效应管及其代换<BR>  型号。<BR>  本手册介绍

MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 <P>Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输

MOS管应用笔记

MOS管应用笔记

OCL功率放大器PPT教材

<div> 设计目的:

一种新型并联混合型有源滤波器的研究

为实现对非线性负载的谐波补偿和功率因数连续调节,采用了一种无变压器并联混合型有源滤波器,阐述了其工作原理。综合考虑成本与滤波效果的情况下选择采用7次单调谐无源滤波器,针对7次单调谐无源滤波器对于5次谐波补偿能力较差的状况,采用了反馈加5次前馈的控制策略.为了进一步对系统的无功功率进行补偿,在原有的反馈控制环节上进行了一定的改进.仿真结果证明了该并联混合性有源滤波工作的有效性。<br /> <img

小型化电容加载腔体滤波器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用电容加载传输线缩短理论,重新设计腔体滤波器的内部结构,利用T型梳状结构实现加载电容,减小腔体尺寸。仿真设计并实际加工出一个中心频率为2.4GHz的带通

2SJ系列场效应管参数大全

<p> 2SJ系列场效应管参数大全:</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-1201091613253I.jpg" style="width: 482px; height: 156px" /></p>

场效应管放大电路_场效应管作用

场效应管作用

电子学名词介绍

电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量,以字母ρ表示,单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线,在温度20C时的电阻值,电阻率越大,导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量,其数值等于温度每升高1C时,电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值,通常以字母α表示,单位为1/C。<BR>2、 电阻的温

整流二极管参数1N5400G--1N5408G

整流二极管参数1N5400G--1N5408G

Ku波段30W固态功率放大器

<div> 本文叙述了研制的应用于VSAT卫星通信的Ku波段30W固态功率放大器(SSPA)。阐述了该固态功率放大器的方案构成和关键部分的设计,包括功率合成网络、微带.波导转换的设计;功率合成电路的设计,特别是波导魔T的优化设计。研制的30W固态功率放大器的主要性能为:中心频率14.25GHz,带宽500MHz,P.1dB输出功率30W,大信号增益45dB,带内波动小于5dB。<br /> <

高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究

本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。

模拟电子技术基础课件

学习模拟电子的基础,主要是二极管、三极管、MOS管的基础知识,对理解这些非常的有帮助,不看后悔吧