功率集成电路
共 97 篇文章
功率集成电路 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 97 篇文章，持续更新中。
高增益跨导型运算放大器设计
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运算放大器作为模拟集成电路设计的基础，同时作为DAC校准电路的一部分，本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。</p>
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模数转换AD集成电路设计原理及其应用技术
希望需要者参考
基于运算放大器和模拟集成电路设计
研究信号放大的可以看看
锁相环技术及CD4046的结构和应用
叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。<br />
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基于Multisim的高频功率放大器特性分析
multisim高频功率放大器特性分析
VISHAY ESTA功率电容选型指导
VISHAY ESTA功率电容选型指导.<br />
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交流功率因数转换器
交流功率因数转换器 特点： 精确度0.25%满刻度 ±0.25o 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，稳定性高 主要规格： 精确度: 0.25% F.S. ±0.25&d
采用FemtoCharge技术的高速、高分辨率、低功耗的新一代ADC
先进的系统架构和集成电路设计技术，使得模数转换器 (ADC) 制造商得以开发出更高速率和分辨率，更低功耗的产品。这样，当设计下一代的系统时，ADC设计人员已经简化了很多系统平台的开发。例如，同时提高ADC采样率和分辨率可简化多载波、多标准软件无线电系统的设计。这些软件无线电系统需要具有数字采样非常宽频范围，高动态范围的信号的能力，以同步接收远、近端发射机的多种调制方式的高频信号。同样，先进的雷达系
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
基于小信号S参数的功率放大器设计
首先把功率管的小信号<em>S</em>参数制成S2P文件,然后将其导入ADS软件中,在ADS中搭建功率管的输入输出端口匹配电路,按照最大增益目标对整个电路进行优化,最后完成电路的设计。<br />
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电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
PWM型功率放大器长线传输波形整型
为解决PWM功率放大器输出长线传输引发的波形畸变，可能伤及力矩电动机的问题，对实际系统结构进行了理论分析，找出了可能引发波形畸变的原因，并给出了3种解决方法。实际试验结果证实所给方法的有效性。<br />
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模拟集成电路基础讲义
对模电有兴趣就可以下载了
数字预失真(DPD)算法研发工具和验证方案
在无线通信系统全面进入3G并开始迈向 4G的过程中，使用数字预失真技术（Digital Pre-distortion，以下简称DPD）对发射机的功放进行线性化是一门关键技术。功率放大器是通信系统中影响系统性能和覆盖范围的关键部件，非线性是功放的固有特性。非线性会引起频谱增长(spectral re-growth)，从而造成邻道干扰，使带外杂散达不到协议标准规定的要求。非线性也会造成带内失真，带来系
放大器类型学习笔记
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区分放大器的其中一种方式是通过其输出级的类型。这种分类由输出器件接通的输出周期百分比决定。基本考量是失真与功率的关系。
DAC3484,DAC34H84输出功率定标
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DAC3484 和DAC34H84 是德州仪器（Texas Instruments）新推出的低功耗，高密度，高采样率，高性能的数模转换芯片，这款芯片目前已经广泛的应用在通信行业。本文详细介绍了DAC3484，DAC34H84 与正交调制器的输出接口以及输出功率定标的计算问题。<br />
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555时基集成电路简介
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p>
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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音频功率放大器设计手册（英）道格拉斯·索夫
音频功率放大器设计，希望对你们有帮助
线性及逻辑器件选择指南
<P>绪论 3<BR>线性及逻辑器件新产品优先性<BR>计算领域4<BR>PCI Express®多路复用技术<BR>USB、局域网、视频多路复用技术<BR>I2C I/O扩展及LED驱动器<BR>RS-232串行接口<BR>静电放电(ESD)保护<BR>服务器/存储10<BR>GTL/GTL+至LVTTL转换<BR>PCI Express信号开关多路复用<BR>I2C及SMBus接口<B