功率因素
共 84 篇文章
功率因素 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 84 篇文章，持续更新中。
电子学名词介绍
电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。<BR>2、 电阻的温
集成式工业接口数字隔离器减少尺寸与成本
随着竞争产品价格的降低和产品差异化需求的增加，在工业市场上生存也变得越来越艰难。同时，安全标准不见有丝毫放宽，这要求更多的工业应用采用电流隔离，给光耦合器带来不利影响。这些不利影响会导致以下这些因素的增加：尺寸、功耗、电路板、元件数和成本。<br />
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一种改进的动态反馈负载均衡算法
<span id="LbZY"> 在集群系统中，负载均衡算法是影响系统性能的关键因素之一。为了进一步提高集群系统的性能，有必要对负载均衡算法进行优化。通过对最小连接算法和DFB（Dynamic Feed-Back）算法的详细分析，提出了一种改进的动态反馈负载均衡算法。该算法通过收集每台服务器的实时性能参数，动态地计算出各服务节点的分配概率，并由此决定用户请求分配给哪一个服务节点。通过对上
Ku波段30W固态功率放大器
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本文叙述了研制的应用于VSAT卫星通信的Ku波段30W固态功率放大器(SSPA)。阐述了该固态功率放大器的方案构成和关键部分的设计，包括功率合成网络、微带．波导转换的设计；功率合成电路的设计，特别是波导魔T的优化设计。研制的30W固态功率放大器的主要性能为：中心频率14．25GHz，带宽500MHz，P．1dB输出功率30W，大信号增益45dB，带内波动小于5dB。<br />
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高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
基于AD9959的高精度多通道雷达信号源设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">现代相控阵雷达为了保证空间功率合成精度需要高精度的雷达信号，设计实现了一种以AD9959为核心的高精度多通道雷达信号源。信号源利用多片AD9959产生3
自适应预失真前馈功率放大系统分析
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在本课题中，兼顾了效率及线性度，采用自适应预失真前馈复合线性化系统来改善高功率放大器的线性度。由于加入自适应控制模块，射频电路不受温度、时漂、输入功率等的影响，可始终处于较佳工作状态，这使得整个放大系统更为实用，也更具有拓展价值。</p>
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基于ADS高效率微波功率放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹
水声信号功率放大器的设计与实现
设计了水声信号发生系统中的功率放大电路，可将前级电路产生的方波信号转换为正弦信号，同时进行滤波、功率放大，使其满足换能器对输入信号的要求。该电路以单片机AT89C52，集成6阶巴特沃思低通滤波芯片MF6以及大功率运算放大器LM12为核心，通过标准RS232接口与PC进行通信，实现信号增益的程控调节，对干扰信号具有良好的抑制作用。经调试该电路工作稳定正常，输出波形无失真，在输出功率以及放大增益、波纹
25W立体声数字放大器-德州仪器
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TAS5727EVM 评估板用于演示和证明德州仪器TAS5727 器件的性能。TAS5727 将一个高性能的PWM处理器与一个D 类音频功率放大器整合在一起。该EVM 可以利用两个桥接负载(BTL) (2.0) 来配置。如需了解有关TAS5727EVM 器件的详细信息，请查阅（器件数据表SLOS637）。脉宽调制器(PWM)基于TI 的Equibit™技术。TAS5727
MILMEGA新款EMC测试放大器
2010年4月13日， 专业设计和制造固态高功率宽带放大器的MILMEGA公司于2010年亚太区电磁兼容(APEMC)国际学术大会及展览会期间宣布推出一款新的放大器产品。该款产品主要针对商用EMC测试IEC 61000-4-3 标准(覆盖频率范围为80 MHz～1 GHz)。MILMEGA的这一新产品将给EMC测试领域带来革命性的突破。
宽频带高功率射频脉冲功率放大器
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
工业监控和便携式仪器的6通道SAR型ADC
14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-1305221JKV46.jpg" style="width: 4
基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器的设计
基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
电路分析基础pdf
<P>电路分析基础电路分析基础Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒体教学课件多媒体教学课件北京理工大学北京理工大学Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology</P>
<P>目录<BR>•第一章集总电路中电压
COOLMOS__ICE2A系列的应用研究
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由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其优点是：用它做开关电源，无需加散热器，在通用电网即可输出20～50W 的功率；保护功能齐全；电路结构简单；能自动降低空载时的工作频率，从而降低待机状态的损耗，故在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。<br />
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无功功率自动补偿控制器
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持