共源共栅
共 63 篇文章
共源共栅 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 63 篇文章，持续更新中。
场效应晶体管放大电路的动态分析
<P> 场效应晶体管放大电路的动态分析</P>
<P> 共源组态基本放大电路的动态分析</P>
<P> 共漏组态基本放大电路的动态分析</P>
差分数据传输有何区别
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隔离器的主要功能是通过电气隔离栅传送某种形式的信息，同时阻止电流。隔离器采用绝缘材料制造，可以阻止电流，隔离栅两端都有耦合元件。信息通常在传输通过隔离栅之前由耦合元件编码。<br />
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组合放大电路基础知识
<P> 共射—共基放大电路</P>
<P> 共集—共集放大电路</P>
共发射级放大电路实验
<P> 共发射单级放大电路</P>
<P> 1.掌握其放大电路的工作原理 ;</P>
<P> 2.掌握静态工作点的设置及其对电路参数的影响。</P>
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
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基于新型CCCII的电流模式积分电路
介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性，以及其基本组成共源共栅电流镜，并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上，设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路，并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。<br />
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将运算放大器连接至高速DAC
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介绍了一款不要求负参考电压 (VREF) 的电流源 DAC/运算放大器接口。尽管该建议电路设计提供了一款较好的有效解决方案，但必须注意的是：如果 DAC 的最大兼容电压作为运算放大器输入 (VDAC+) 正端的设计目标，则负端 (VDAC–) 的 DAC 电压将会违反最大兼容输出电压，因为存在最初并不那么明显的偏置。下面的讨论，将对出现这种偏置的原因进行解释，并提出一种解
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
了解ADF7021的AFC环路并为实现最小前同步码长度而进行优化
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无线电通信网络中的远程收发器使用自己的独立时钟源。因此，这些收发器容易产生频率误差。当发射机启动通信链路时，关联的接收机需要在数据包的前同步码阶段校正这些误差，以确保正确的解调<br />
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为2
IBIS模型第3部分-利用IBIS模型研究信号完整性问题
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本文是关于在印刷电路板 (PCB) 开发阶段使用数字输入/输出缓冲信息规范(IBIS) 模拟模型的系列文章之第 3 部分（共三部分）。“第 1 部分”讨论了 IBIS仿真模型的基本组成，以及它们在 SPICE 环境中产生的过程1。“第 2 部分”讨论了 IBIS 模型有效性验证。2 在设计阶段，我们会碰到许多信号完整性问题，而 IBIS
Arduino学习笔记A10_Arduino数码管骰子实验
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电路连接<br />
由于数码管品种多样，还有共阴共阳的，下面我们使用一个数码管段码生成器（在文章结尾） 去解决不同数码管的问题：<br />
本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管：型号D5611 A/B，在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11，引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。<br />
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共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较
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给出了两种应用于两级CMOS 运算放大器的密勒补偿技术的比较,用共源共栅密勒补偿技术设计出的CMOS 运放与直接密勒补偿相比,具有更大的单位增益带宽、更大的摆率和更小的信号建立时间等优点,还可以在达到相同补偿效果的情况下极大地减小版图尺寸. 通过电路级小信号等效电路的分析和仿真,对两种补偿技术进行比较,结果验证了共源共栅密勒补偿技术相对于直接密勒补偿技术的优越性.<br />
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共模保护和差模保护
共差摸
抑制电磁干扰源的设计
为了提高电子设备、仪表的工作性能等指标，针对电源、暂态过程、电磁辐射几种常见干扰源从他的干扰因素和特点出发，采用滤波器、加静电屏蔽、吸收、电磁屏蔽等措施抑制干扰源的影响。在应用中可根据实际需要进行选择。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202161F6404U.jpg" />
信号放大电路
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LINE-HEIGHT: 18pt; mso-line-height-rule: exactly; tab-stops: 20.0pt"><FONT size=3>2-1 何谓测量放大电路？对其基本要求是什么？ <p></p></FONT></P>
<P class=MsoNormal style="MA
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
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差模电感和共模电感
共模电感在日常生活中最常见的就是计算机应用中，计算机内部的主板上混合了各种高频电路、数字电路和模拟电路，它们工作时会产生大量高频电磁波互相干扰，这就是EMI。EMI还会通过主板布线或外接线缆向外发射，造成电磁辐射污染，不但影响其他的电子设备正常工作，还对人体有害。