保护管
共 106 篇文章
保护管 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 106 篇文章，持续更新中。
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
MOS管应用笔记
MOS管应用笔记
基于多重加密技术的一个三重加密方案
分组密码的应用非常广泛，但由于差分密码攻击和线性密码攻击的出现，使分组密码受到致命的打击，文章基于能够保护已有软件和硬件使用分组密码投资的目的，采用多重加密的思想，通过对密码体制强化的方法，提出了一个新的三重加密方案，并分析了其安全性特征，得到了安全性更强的一种算法。<br />
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2SJ系列场效应管参数大全
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2SJ系列场效应管参数大全:</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-1201091613253I.jpg" style="width: 482px; height: 156px" /></p>
ESD保护电路的设计
ESD 静电放电给你的电子产品带来致命的危害不仅降低了产品的可靠性增加了维修成本而且不符合欧洲共同体规定的工业标准EN61000-4-2 就会影响产品在欧洲的销售所以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑ESD 保护电路本文将讨论ESD保护电路的几种方法.<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202151002
场效应管放大电路_场效应管作用
场效应管作用
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
整流二极管参数1N5400G--1N5408G
模拟电子技术基础课件
学习模拟电子的基础，主要是二极管、三极管、MOS管的基础知识，对理解这些非常的有帮助，不看后悔吧
10Gbits GPON系统的完整，紧凑型APD偏置解决方案
雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器，但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130522164034G1.jpg" style="width
LTC1099半闪速8位AD转换数字光电二极管阵列
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<span style="color: rgb(26, 24, 24); font-family: Arial, Helvetica, sans-serif; line-height: 15px; ">This application note describes a Linear Technology "Half-Flash" A/D converter, the
基于ADS高效率微波功率放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹
一种便携式光谱采集系统的设计与实现
<span id="LbZY">为了快速有效地判断化学物质中的微量成分，并粗略估计成分的含量，提出一种便携式分光光度计的设计方案，对该方案的光谱采集系统进行了设计与讨论。与传统的分光光度计设计方案相比，该方案采用线阵CCD器件代替传统的光电管来实现光电信号的转换，易于提高系统的运行速度并减少系统体积；利用FIFO（先入先出队列）可以实现高速数据输出设备与低速控制器的数据交换。本系统可以选择LCD液
常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料
MOS管的资料
MOS管驱动电路总结
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。<br />
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第2章 基本放大电路
§2.1 概述 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 三种基本接法 §2.6 派生电路 §2.7 场效应管放大电路
宽频带高功率射频脉冲功率放大器
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计
<span id="LbZY">低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB，噪声小于1.5
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数