保护开关
共 61 篇文章
保护开关 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 61 篇文章，持续更新中。
模拟cmos集成电路设计(design of analog
<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&
IGBT保护电路
IGBT保护电路
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
基于数字指纹的数字版权标识技术
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针对互联网领域版权保护面临的挑战，介绍了一种新的版权公共服务新模式：数字版权标识符体系及其总体技术框架，并分析了基于数字指纹的数字版权标识技术，该技术对于数字版权标识符体系中数字版权监测取证功能的实现具有一定的意义。</p>
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功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br />
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一种简单可靠离散量信号电路的设计和实现
<span id="LbZY">基于目前航空电子设备离散量输入/输出电路实现复杂，分立器件多，高低温下参数不一致等现象，通过对比分析典型离散量电路，提出了一种简单、高可靠性的离散量信号电路设计，同时由于典型离散量输出电路故障率较高，提出了一种离散量输出信号的过流保护电路设计思路，采用电路仿真软件Multisim进行了功能仿真、容差分析，在实际工程应用中各项实验结果证明，该电路满足实际使用要求，具有
运算放大器的保护
运算放大器的保护
三极管当开关使用
三极管除了可以做交流信号的放大器外，还能做开关使用，本文主要就是介绍三级当开关使用的情况作分析，以及三极管当开关使用时候的一些简单电路的介绍。
基于多重加密技术的一个三重加密方案
分组密码的应用非常广泛，但由于差分密码攻击和线性密码攻击的出现，使分组密码受到致命的打击，文章基于能够保护已有软件和硬件使用分组密码投资的目的，采用多重加密的思想，通过对密码体制强化的方法，提出了一个新的三重加密方案，并分析了其安全性特征，得到了安全性更强的一种算法。<br />
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开关稳压器电路的效率特性分析
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开关稳压器使用输出级，重复切换“开”和“关”状态，与能量存贮部件（电容器和感应器）一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p>
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ESD保护电路的设计
ESD 静电放电给你的电子产品带来致命的危害不仅降低了产品的可靠性增加了维修成本而且不符合欧洲共同体规定的工业标准EN61000-4-2 就会影响产品在欧洲的销售所以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑ESD 保护电路本文将讨论ESD保护电路的几种方法.<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1202151002
多路复用器、模拟开关设计指南
多路复用器、模拟开关设计指南
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
单端10-bit SAR ADC IP核的设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">本设计通过采用分割电容阵列对DAC进行优化，在减小了D/A转换开关消耗的能量、提高速度的基础上，实现了一款采样速度为1
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
MT-015 DAC基本架构II：二进制DAC
虽然串DAC和温度计DAC是迄今最为简单的DAC架构，但需要高分辨率时，它们绝不是 最有效的。二进制加权DAC每位使用一个开关，首创于1920年代(参见参考文献1、2和3)。 自此以后一直颇受欢迎，成为现代精密和高速DAC的支柱架构。
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．